Диффузия - носитель - заряд
Cтраница 1
Диффузия носителей заряда ( в полупроводнике) - движение электронов и дырок из области, где их концентрация повышена по какой-либо причине, в область с пониженной их концентрацией, происходящее под действием тепловых колебаний кристаллической решетки в отсутствии электрического поля. [1]
Диффузия носителей заряда ( в полупроводнике) - движениеэлек-тронов и дырок из области, где их концентрация повышена по какой-либо причине, в области с пониженной их концентрацией, происходящее под действием тепловых колебаний кристаллической решетки в отсутствии электрического поля. [2]
Диффузия носителей заряда ( в полупроводнике) - движение электронов и дырок из области, где их концентрация повышена по какой-либо причине, в область с пониженной их концентрацией, происходящее под действием тепловых колебаний кристаллической решетки при отсутствии электрического поля. [3]
Коэффициент диффузии D носителя заряда выражается через его подвижность ц следующим образом: D - nkTle, где Т - температура полупроводника, k - постоянная Больцмана. Различие в коэффициентах диффузии электронов и дырок приведет к тому, что электроны скорее продиффундируют из более освещенных участков в менее освещенные. Правда, эта фотоЭДС оказывается незначительной, поэтому эффект Дембера не имеет практического применения. [4]
В результате диффузии носителей заряда нарушается электрическая нейтральность примыкающих к металлургическому контакту частей монокристалла полупроводника. Образуется область пространственного заряда, состоящая из двух разноименно заряженных слоев. Возникшее диффузионное электрическое поле препятствует дальнейшей диффузии основных носителей через металлургический контакт - устанавливается равновесное состояние. [5]
В результате диффузии носителей заряда нарушается электрическая нейтральность примыкающих к металлургическому контакту частей монокристалла полупроводника. Образуется область объемного заряда, состоящая из двух разноименно заряженных слоев. Возникшее диффузионное электрическое поле препятствует дальнейшей диффузии основных носителей через металлургический контакт - устанавливается равновесное состояние. Между п - и р-об-ластями при этом существует разность потенциалов, называемая контактной разностью потенциалов. Потенциал я-области положителен по отношению к потенциалу р-обла-сти. [6]
В результате диффузии носителей заряда нарушается электрическая нейтральность примыкающих к металлургическому контакту частей монокристалла полупроводника. Образуется область пространственного заряда, состоящая из двух разноименно заряженных слоев. Возникшее диффузионное электрическое поле препятствует дальнейшей диффузии основных носителей через металлургический контакт - устанавливается равновесное состояние. [7]
 |
Неравномерное легирование полупроводника.| Диффузионные и а рейфовые токи в пластине с неравномерным распределением примеси. [8] |
В этом полупроводнике диффузия носителей заряда происходит из области с большей их концентрацией в область с меньшей концентрацией. [9]
В случае неравномерного распределения примесей диффузия носителей заряда приводит к нарушению электрической нейтральности отдельных областей полупроводника и появлению внутреннего электрического поля. Рассмотрим это на примере полупроводника n - типа с неравномерным распределением доноров. В интервале рабочих температур, соответствующих полной ионизации доноров ( n Ng), электроны также распределены неравномерно, что вызывает их диффузию, направленную в сторону области с меньшей концентрацией. В области с повышенной концентрацией доноров вследствие ухода части электронов появляется нескомпенсированный положительный объемный заряд ионов доноров, а в области с пониженной концентрацией доноров - отрицательный заряд электронов. [10]
 |
Энергетиче - ( 7 77 екая структура по. [11] |
Следовательно, при повышении температуры диффузия носителей заряда из подзон будет приводить к дополнительной биполярной теплопроводности. [12]
Полупроводник имеет электропроводность р-типа, поэтому диффузия носителей заряда определяется диффузией электронов. Кроме того, ловушки захвата отсутствуют, а уровень возбуждения низкий. [13]
Прыжковую проводимость можно рассматривать просто как диффузию носителей заряда в кристалле, стимулируемую фоно-нами. [14]
 |
Схема полупроводникового термоэлемента с сопротивлением нагрузки. / - положительная ветвь. [15] |
Страницы: 1 2 3 4