Диффузия - носитель - заряд
Cтраница 4
Несовершенства, например, такие, как нейтральные примеси, дислокации, в которых иные носители зарядов могут, в принципе, быть центрами диффузии носителей зарядов, но лишь крайне редко имеют некоторую эффективность. [46]
При высоком уровне инжекции может проявляться еще один механизм рассеяния носителей заряда - рассеяние носителей на носителях, что приводит к уменьшению подвижности и коэффициента диффузии носителей заряда. Однако это явление часто можно не принимать во внимание, так как оно начинает сказываться при сравнительно больших концентрациях инжектированных носителей. [47]
 |
Распределение концентрации неосновных носителей в база диода с тонкой базой. [48] |
При высоком уровне ишкекцкн может проявляться еще одни механизм рассеяния носителей заряда - рассеяние носителей на носителях, что приводит к уменьшению подвижности и коэффициента диффузии носителей заряда. Однако это явление часто можно не принимать во внимание, так как оно начинает сказываться при сравнительно больших концентрациях инжектированных носителей. [49]
При высоком уровне инжекции может проявляться еще один механизм рассеяния носителей заряда - рассеяние носителей на носителях, что приводит к уменьшению подвижности и коэффициента диффузии носителей заряда. Однако это явление часто можно не принимать во внимание, так как оно начинает сказываться при сравнительно больших концентрациях инжектированных носителей. [50]
При рассмотрении идеального p - n - перехода мы считали, что генерация и рекомбинация зарядов в области перехода практически отсутствуют и поэтому ток через переход при прямом смещении обусловлен диффузией носителей заряда. [51]
ОБ при низкой частоте ( / жО); со, 2л / а-предельная частота усиления тока в схеме ОБ, на которой а падает до ао / У2; т - постоянная времени коэффициента передачи, определяемая средним временем диффузии носителей заряда через базу. [52]
Во время протекания тока для образцов с малой скоростью поверхностной рекомбинации носителей заряда неравенство (3.43) в приконтактной области выполняется, а следовательно, рекомбинацией на поверхности можно пренебречь. Диффузию носителей заряда также можно не учитывать, потому что напряженность электрического поля в области контакта достаточно велика. [53]
 |
Энергетиче - ( 7 77 екая структура по. [54] |
При диффузии носителей заряда из подзоны легких дырок в подзону тяжелых дырок выделяется энергия А. [55]
Выражения (2.32) и (2.33) называются соотношениями Эйнштейна. Они связывают коэффициенты диффузии носителей заряда с их подвижностью. [56]
При импульсном включении тиристора отпирание его первоначально происходит лишь в узком канале вблизи управляющего электрода, так как из-за падения напряжения пускового импульса в распределенном сопротивлении базы г 6 инжекция носителей заряда из эмиттера происходит вначале только около управляющего электрода. Затем канал постепенно расширяется вследствие диффузии носителей заряда и охватывает всю площадь перехода. [57]
Страницы: 1 2 3 4