Диффузия - носитель - заряд
Cтраница 3
Это объясняется тем, что туннельный ток не связан с накоплением и диффузией носителей заряда в базе. [31]
Развитие электроники в первую очередь базировалось на практическом применении различных механизмов токопро-хождения: дрейфа и диффузии носителей заряда, электронной эмиссии и др. Так, в результате открытия и практического применения токов электронной эмиссии возникла и получила развитие электровакуумная техника и вакуумная электроника. На основе практического применения процессов инжекции и диффузионного токопрохождения носителей заряда в полупроводниках были созданы транзисторы и возникли современные полупроводниковая электроника и ми кроэлектроника. [32]
В транзисторных генераторах метрового и дециметрового диапазонов волн период усиливаемых колебаний становится соизмеримым с временем диффузии носителей заряда в области базы транзистора, за счет чего импульсы коллекторного тока деформируются, а коэффициент усиления уменьшается. Расчет энергетических параметров генератора при этом усложняется, поскольку входящая в соотношения для токов, напряжений и мощностей прямая проводимость транзистора У21 становится комплексной величиной. [33]
На переходные процессы транзисторного каскада, кроме статических паразитных емкостей, оказывает влияние конечное время диффузии носителей зарядов через область базы. [34]
 |
Спектральная зависимость фотопроводимости аф ( Ъ вблизи края фундаментального поглощения. [35] |
Теперь рассмотрим случай, когда падающее излучение поглощается неравномерно по толщине d образца и имеет место диффузия носителей заряда. Условие kd 1 указывает на то, что почти все излучение поглощается в тонком поверхностном слое образца и интенсивностью излучения, отраженного от неосвещенной поверхности образца, можно пренебречь. [36]
Диффузионная jumna и время жизни связаны между собой соотношением L От, в котором D - коэффициент диффузии носителей заряда. [37]
К числу таких недостатков следует отнести нестабильность параметров при климатических изменениях и ионизационном облучении, ограниченную скорость диффузии носителей зарядов, низкое входное сопротивление и ряд других. Отличие параметров полупроводниковых приборов ( низкое входное сопротивление, наличие внутренней обратной связи и др.) от соответствующих параметров электронных ламп не позволяет использовать ранее разработанные ламповые схемы для устройств на полупроводниковых приборах. [38]
Следует отметить, что использование уравнения (4.19) предполагает отсутствие процессов переизлучения и перепоглощения, которые могут сопровождать диффузию носителей заряда. Теоретически показано, что эти оптические процессы в прямозонных полупроводниках приводят к дополнительной диффузии носителей заряда. Степень их влияния на диффузию зависит от того, какую часть составляет избыточная концентрация носителей заряда, ре-комбинирующих изл чательно, от общей концентрации рекомби-нирующих носителей заряда. [40]
 |
Распределение электронов в ловушках перед ( а и после ( б голографической записи в кристаллах LiNbOs-Fe. [41] |
Амодеем и Стеблером были получены выражения для локальных полей Е ( х), образованных дрейфом или диффузией носителей заряда для стационарного случая. [42]
При омической нагрузке время переключения является наименьшим и определяется инерцией транзистора, которая в основном обусловлена конечным временем диффузии носителей зарядов в кристалле. Для лучшего уяснения этого явления проще всего представить себе, что параллельно диодным участкам эмиттер - база и коллектор-база включены так называемые диффузионные емкости, каждая из которых имеет значение на два порядка большее, чем зависящая от напряжения емкость запирающего слоя соответствующего диодного участка. [43]
Однако появление коллекторного тока при включении транзистора Ti задерживается на некоторый промежуток & ti в связи с конечной скоростью протекания диффузии носителей заряда в базовой области. Через время Д / i появляется прямой коллекторный ток входного транзистора, который затем увеличивается по закону, близкому к экспоненциальному. В результате увеличения коллекторного тока повышается потенциал коллектора. Положительный перепад напряжения через форсирующий конденсатор С передается на базу закрытого выходного транзистора. [44]
Однако появление коллекторного тока при включении транзистора TI задерживается на некоторый промежуток A ti в связи с конечной скоростью протекания диффузии носителей заряда в базовой области. [45]
Страницы: 1 2 3 4