Диффузия - носитель - заряд
Cтраница 2
Первая составляющая термо - ЭДС обусловлена диффузией носителей заряда от нагретого спая, температура которого из-за подводимой к нему тепловой мощности от какого-нибудь источника выше температуры тепловыделяющего спая. Диффу -, , зия носителей заряда в ветвях термоэлемента может возникать по двум причинам. Во-первых, в ветвях термоэлемента у нагретого спая оказывается большее число ионизированных примесей. При дополнительной ионизации примесей увеличивается концентрация основных носителей заряда на нагретых концах ветвей термоэлемента. Во-вторых, если в ветвях термоэлемента все примеси были ионизированы уже при низкой температуре ( эта температура выше температуры истощения примесей), то концентрация основных носителей заряда при нагреве практически не увеличится. Но на нагретых концах ветвей термоэлемента носители заряда приобретают большие энергии. Поэтому опять происходит диффузия основных носителей заряда от нагретого конца в каждой ветви термоэлемента, связанная с выравниванием средней энергии, приходящейся на один носитель определенного знака. [16]
Таким образом, инерционность сплавных фотодиодов определяется временем диффузии носителей заряда через базу. [17]
Таким образом, при больших токах в полупроводнике помимо диффузии носителей заряда обязательно надо учитывать их дрейф. Кроме того, из-за наличия в полупроводнике при больших токах электрического поля, напряжение на электронно-дырочном переходе полупроводникового диода отличается от напряжения, приложенного к его выводам. [18]
Таким образом, при больших токах в базе диода помимо диффузии носителей заряда необходимо учитывать их дрейф. Кроме того, из-за наличия в базе при больших токах через диод электрического поля напряжение на p - n - переходе отличается от напряжения, приложенного к выводам диода. [19]
Под действием сильного прямого тока через р - п-переход происходит диффузия носителей заряда в зону р - n - перехода и повышается их концентрация до такой степени, что плотность занятых уровней вблизи дна зоны проводимости становится больше плотности занятых уровней вблизи потолка валентной зоны. Электронный пучок пронизывает значит, толщину кристалла и производит в его объеме ионизацию с образованием электрон-дырочных пар с достаточной для лазерной генерации концентрацией. [21]
Таким образом, при больших токах в базе диода помимо диффузии носителей заряда необходимо учитывать их дрейф. Кроме того, из-за наличия в базе при больших токах через диод электрического поля напряжение па электронно-дырочном переходе отличается от напряжения, приложенного к выводам диода. [22]
Таким образом, при больших токах в базе диода помимо диффузии носителей заряда необходимо учитывать их дрейф. Кроме того, из-за наличия в базе при больших токах через диод электрического поля напряжение на p - n - переходе отличается от напряжения, приложенного к выводам диода. [23]
Процесс диффузии носителей одного знака сопровождается в однородно легированных полупроводниках диффузией носителей заряда другого знака. Предположим, что часть дырок ушла из данного объема полупроводника. В результате нарушилась электро-нейтралыюсть этого объема, образовался пространственный заряд и возникло электрическое поле. Поле вызовет появление потока электронов, которые полностью восстановят электронейтральность в образце, причем произойдет это практически мгновенно. [24]
Уменьшение высоты потенциального барьера приводит к снижению электрического поля, препятствующего диффузии носителей заряда. Дырки из / ( - области начинают переходить в л-область, а электроны - наоборот. В каждой области появляются избыточные, концентрации неосновных носителей. Процесс нагнетания неосновных носителей заряда в какую-либо область полупроводника называется инжекцией. [25]
Если концентрация примеси в полупроводнике зависит от координаты, то вследствие диффузии носителей заряда устанавливается распределение концентрации примеси и в результате возникает отклонение от электронейтральности. [26]
Последнее название связано с тем, что ток D возникает вследствие диффузии носителей заряда при их неравномерном распределении в кристалле. Поток частиц должен быть пропорционален градиенту концентрации и направлен в сторону уменьшения концентрации частиц. [27]
Последнее название связано с тем, что ток JD возникает вследствие диффузии носителей заряда при их неравномерном распределении в кристалле. Поток частиц должен быть пропорционален градиенту концентрации и направлен в сторону уменьшения концентрации частиц. [28]
Чтобы приблизиться к реальным условиям, нужно учесть поверхностную рекомбинацию и диффузию носителей заряда, a T IK-же влияние точечного контакта. Влияние поверхнэстной рекомбинации сводится к нарушению сферической симметрии распределения неравновесных носителей заряда, которая сохраняется до тех пор, пока дрейфовый поток носителей заряда преобладает над их. [29]
Величину тдф, имеющую смысл времени пролета сквозь базу, называют временем диффузии носителей заряда. [30]
Страницы: 1 2 3 4