Диффузия - бор
Cтраница 1
Диффузия бора, имеющего меньшую скорость диффузии, чем алюминий, предназначена для получения высокой поверхностной концентрации акцепторов. Этим обеспечивается создание омического контакта с малым сопротивлением. [1]
 |
Температурные зависимости коэффициентов диффузии ряда примесей в карбиде кремния. [2] |
При диффузии бора из эпитаксиальных легированных слоев, предварительно созданных на монокристаллах, коэффициенты диффузии меньше, чем при диффузии из газовой фазы. Скорость диффузии бора зависит от концентрации легирующих примесей в кристаллах. Так, азот, присутствующий в решетке карбида кремния, замедляет, а алюминий ускоряет диффузию бора. [3]
 |
Распределение примесей в сплавном тоанзистопе.| Структура сплавного р-п - р транзистора. [4] |
При диффузии бора в исходный / г-кремний образуется р-об-ласть базы и коллекторный р-п переход, расположенный на глубине хк. [5]
Для диффузии бора в кремний используется методика введения примеси в полупроводниковую пластину путем облучения ее поверхности ионами бора с энергией 30 - 50 кэв. [6]
При диффузии бора в кремний ( в отличие от диффузии галлия) не наблюдается линейной зависимости поверхностной концентрации от давления газа-носителя. [7]
При диффузии бора в железо и сталь, как и в случае переходных металлов IV - VI групп, существенное значение имеет взаимодействие валентных электронов бора с недостроенными rf - электронными уровнями железа. [8]
 |
Температурные зависимости коэффициентов диффузии ряда примесей в карбиде кремния. [9] |
Особенностью диффузии бора в карбиде кремния является сложный характер диффузионного распределения легирующей примеси, выражающийся в образовании медленной приповерхностной и быстрой объемной ветвей диффузионного распределения бора. [10]
Данные о диффузии бора, углерода, азота и кремния в переходные металлы IV-VIII групп довольно ограничены и касаются главным образом важнейшего процесса этого типа-цементации железа и сталей. [11]
Интересен метод диффузии бора в кремний [ 681, позволяющий получать различную поверхностную концентрацию. Источником бора служит бокс из пористого кварца, на внутреннюю поверхность которого предварительно наносится слой боросиликатного стекла. Стекло при этом может быть образовано при одной температуре, а диффузия проводится при другой температуре. Поверхностная концентрация определяется температурой образования стекла, а глубина и поверхностное сопротивление диффузионного слоя зависят от времени и температуры диффузии. [12]
Обычно вторая стадия диффузии бора проводится при 1 100 - 1200 С. При этом в окисную пленку может переходить довольно значительная доля бора. Экспериментальные данные указывают на то, что она может составлять около 50 % количества, введенного во время первой стадии, или даже больше. В этих условиях расчет распределения бора в базе диффузионного транзистора очень затруднен. [13]
Низкая величина коэффициентов диффузии бора, фосфора, сурьмы и других легирующих примесей в двуокись кремния и связанная с этим маскирующая способность окисла при диффузии в кремний обусловили возможность очень точного локального легирования кремния. [14]
Этот метод используют для диффузии бора в кремний п-типа. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5