Диффузия - бор
Cтраница 5
При увеличении температуры коэффициент А растет, но гораздо медленнее, чем увеличивается с температурой коэффициент диффузии бора в кремнии. Оценки показывают, что если температура второй стадии диффузии бора порядка 1250 С и выше, то количеством бора, перешедшего в окисел, можно пренебречь, а если температура второй стадии диффузии порядка 1 000 С и меньше, то почти весь бор перейдет в окисную пленку. [61]
На рис. 1 приведены графики вольт-амперных характеристик трех выпрямителей с различным отношением W / LP, полученных диффузией бора в кремний. Аналогичный вид имеют вольт-амперные характеристики диодов, изготовленных диффузией алюминия. [62]
 |
Устройство полупроводниковых фотоэлементов.| Энергетические ( а и вольт. [63] |
Основой кремниевого фотоэлемента служит пластина п - Si толщиной 0 3 - 1 мм, на поверхности которой путем диффузии бора или алюминия создается слой р - Si толщиной 0 4 - 1 мкм. На границе этого слоя с п - Si образуется р-п переход с толщиной запирающего слоя I 0 05 мкм. Контакты со слоем р - Si создаются путем вакуумного напыления пленки титана, защищаемого затем тонкой пленкой серебра. Пленка напыляемого металла полупрозрачна. [64]
При переходе от металлов IV и V групп к металлам VI группы энергия активации диффузии углерода резко увеличивается, а энергия активации диффузии бора возрастает незначительно. [65]
На рис. 5 - 11 показана схема изготовления кремниевого мощного сплавно-диффузионного транзистора: 1 - исходная пластина; 2 - механическая обработка и диффузия бора, 3 - сошлифовка диффузионного слоя с коллекторной стороны; 4 - сплавление - диффузия ( а - соединительный слой р-типа; б - рекристаллизованный слой; в - и-тип, диффузия мышьяка; г - сплав олово-мышьяк-галлий; д - / 7-тип [ диффузия галлия ]); 5 - диффузия фосфора с коллекторной стороны и химическое никелирование; 6 - сошлифовка никеля с эмиттер-ной стороны; 7 - облуживание контактов; 8 - травление и резка. [66]
Страницы: 1 2 3 4 5