Диффузия - бор
Cтраница 4
Для создания базовой области через окна проводят двух-стадийный процесс диффузии бора в кремний на глубину 4 - 4 5 мк при температуре около 1120 С. Во время диффузии идет вторичное окисление пластин, так как процесс ведется в атмосфере сухого кислорода. [46]
Диоды с переходами типа п - р-р были получены диффузией бора и фосфора в кремний дырочной проводимости. После пробоя полное сопротивление диода является функцией пробивного напряжения и величины лавинного тока. Предельная частота составляет около 1 Мгц и увеличивается с уменьшением емкости перехода. При наличии специального теп-лоотвода приборы с площадью перехода 5 - 10 - 2 см2 способны рассеивать мощность - 10 вт. [47]
Окисная пленка, образовавшаяся на обратной стороне пластины, препятствует диффузии бора в кремний. [48]
Приведенное в одной из недавно опубликованных работ5 значение энергии активации диффузии бора в аустенит ( 21 ккал / г-мол) довольно близко к полученной нами величине ( 18 42 ккал / г-мол), а из найденного в той же работе значения D02 - 10 - 3 можно сделать вывод об отношении раствор имостей бора в аустените и предполагаемом карбобориде железа. [49]
Кольцевая часть р-л-перехода формируется диффузией алюминия, центральная часть - диффузией бора. [50]
Это объясняется тем, что с повышением степени легирования стали ухудшается диффузия бора в поверхностный слой инструмента. [51]
 |
Зависимость напряжения пробоя от глубины диффузии ( о и от удельного сопротивления кремния ( б. [52] |
Создание защитного кольца осуществляется диффузией алюминия, а центральной области перехода - диффузией бора. При этом-блатодаря различию коэффициентов диффузии бора и алюминия p - n - переход имеет ступенчатую форму. [53]
Основной частью элемента является тонкая прямоугольная пластинка кремния п-типа, на поверхности которой диффузией бора образуется слой р-кремния. На открытом для солнечного облучения n - p - переходе под воздействием света возникает разность потенциалов. [54]
Затем необходимо принять меры для того, чтобы в помещениях, где ведется окисление и диффузия бора, вообще не было пыли. Дело в том, что в обычных условиях атмосферная пыль содержит достаточно много фосфора, попадающего в нее, скажем, из химикатов, используемых в сельском хозяйстве. [55]
 |
Зависимость глубины расположения дефекта от количества атомов фосфора, содержащегося в точечном загрязнении, попавшем на поверхность кремния. [56] |
Для уменьшения количества дефектов рассматриваемого типа необходимо также особо тщательно соблюдать чистоту перед первой стадией диффузии бора и в процессе ее проведения. [57]
 |
Последовательность изготовления полупроводниковой микросхемы. [58] |
Через отверстия, протравленные в пленке двуокиси кремния ( рис. 13.3, б), осуществляется диффузия бора, в результате область эпитаксиального слоя под отверстиями приобретает электропроводность р - типа. Как показано на рис. 13.3, в, благодаря этой диффузии образуются электрически изолированные области n - типа для каждого элемента схемы. В каждую область n - типа проводится диффузия для получения транзисторов, диодов, резисторов и конденсаторов, изолированных друг от друга р-п-переходами. [59]
Для проведения базовой диффузии процессы очистки поверхности, окисления и фотолитографии повторяются, после чего проводится двухстадийная диффузия бора: первая при температуре 950 - 1000 С, вторая при температуре 1150 - 1200 С. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5