Диффузия - бор
Cтраница 3
Диффузионные переходы на карбиде кремния получены при диффузии бора или алюминия в кристаллы n - типа, легированные азотом. [31]
Помимо чисто практического значения, исследование процессов диффузии бора и других металлоидов в переходные металлы с недостроенными d - электронными уровнями может дать важный и интересный материал о влиянии различий в электронном строении переходных металлов и ионизационных потенциалов металлоидов на свойства образующихся при этом фаз и об их природе. [32]
 |
Значения энергии активации диффузии В, С, N и Si в переходные металлы. [33] |
В табл. 3 приведены значения энергий активации диффузии бора, углерода и азота в переходные металлы IV, V, VI и VIII групп периодической системы элементов. При анализе этих данных обнаруживается ряд закономерностей. [34]
 |
Постепенное изменение дефекта при одновременной диффузии в я - кремний бора из плоского источника и фосфора из точечного загрязнения. [35] |
Прежде всего с этой целью необходимо проводить диффузию бора и фосфора в раздельных помещениях, так чтобы воздушные потоки из помещения, где проводится диффузия фосфора, не могли проникнуть туда, где ведется диффузия бора. [36]
 |
Схема установки для осуществления диффузии в потоке. [37] |
В работе предлагается: 1) осуществить двухстадийную диффузию бора ( загонка - разгонка) в кремний n - типа в проточной системе; 2) произвести измерения поверхностного сопротивления диффузионного слоя; 3) рассчитать кривую распределения примеси и глубину залегания р-п-перехода; 4) методом косого шлифа определить толщину диффузионного слоя экспериментально; 5) изучить вольт-амперную характеристику полученной диодной структуры. [38]
 |
Схема установки для осуществления диффузии в потоке. [39] |
В работе предлагается: 1) осуществить двухстадийную диффузию бора ( загонка - разгонка) в кремний n - типа в проточной системе; 2) произвести измерения поверхностного сопротивления диффузионного слоя; 3) рассчитать кривую распределения примеси и глубину залегания р-п-перехода; 4) методом косого шлифа определить толщину диффузионного слоя экспериментально; 5) изучить вольт-амперную характеристику полученной диодной структуры. [40]
 |
Тигель для выращивания кристаллов карбида кремния методом сублимации. [41] |
При диффузии бериллия, так же как при диффузии бора, выявляются две характерные ветви диффузионного распределения, причем объемная ветвь имеет аномально высокий коэффициент диффузии. Присутствие азота в решетке карбида кремния замедляет диффузию бериллия, а наличие алюминия и бора ускоряет ее. Если в карбиде кремния имеется набор акцепторных примесей со значениями коэффициентов диффузии, лежащими в широких пределах, то практически отсутствуют донорные примеси, которые могут вводиться в карбид кремния методом диффузии. Это обстоятельство позволяет относительно просто формировать р - л-переходы диффузий акцепторных примесей в карбид кремния с л-типом электропроводности и делает практически невозможным изготовление диффузионных р - n - переходов на основе карбида кремния с р-типом электропроводности. [42]
В тонкие пластины кремния я-типа с двух сторон проводится диффузия бора при высокой температуре. При этом с двух сторон пластины образуются. В кристалл вплавляется сплав, содержащий одновременно акцепторную ( галлий) и донор-ную ( мышьяк) примеси, таким образом, чтобы он проплавил диффузионную пленку р-типа. Из образовавшегося в процессе вплавления рекристаллизованного слоя при высокой температуре происходит одновременная двойная диффузия акцепторной и донорной примесей. [43]
 |
Этапы изготовления пленарных транзИ сторов. [44] |
Пластина помещается в печь; при 1100 С проводится диффузия бора и получается база с электропроводностью р-типа. Так как диффузия происходит во всех направлениях, то базовый слой формируется не только под окном, но и под краем окисной пленки. Одновременно на поверхности кремния образуется окисный защитный слой, так как диффузия происходит в окисляющей атмосфере. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5