Диффузия - примесь
Cтраница 1
Диффузия примесей тесно связана с явлением предельной растворимости одного вещества в другом. Предельная, растворимость в твердой фазе - это максимально возможная концентрация элемента в твердом теле при любой температуре. [1]
Диффузия примесей сильно анизотропна. Скорость диффузии в направлении плоскости спайности высока и может достигать скорости диффузии в жидкостях. [2]
 |
Схема двухзонной диффузионной печи. [3] |
Диффузия примесей имеет под собой ту же теоретическую базу, что и диффузия подвижных носителей заряда. [4]
Диффузия примесей из газовой фазы широко применяется для изготовления лавинных диодов из кремния, предназначенных для стабилизации или контроля напряжения ( опорные диоды) и для работы в качестве ограничителей сигнала. Такие диоды характеризуются малым полным сопротивлением в области пробоя, умеренными токами насыщения и способностью выдерживать значительные электрические перегрузки. [5]
Диффузия примесей является в производстве одним из наиболее распространенных способов легирования полупроводника при создании электронно-дырочных структур, изоляции и пассивных элементов ИМС. [6]
Диффузия примесей происходит из эмиттерной навески, находящейся в расплавленном состоянии. Транзисторы, полученные таким методом, называют сплавными диффузионными. [7]
 |
Сплавно-диффузионный транзистор. [8] |
Диффузия примесей происходит из эмиттерной навески, находящейся в расплавленном состоянии. Транзисторы, полученные таким методом, называют сплавно-диффузионными. [9]
Диффузия примесей в глубину эпитаксиального слоя кремния происходит неравномерно, поэтому в процессе диффузии нельзя получить области с равномерным распределением примесей. [10]
Диффузия примесей из планарных ( параллельных) источников позволяет обеспечить хорошую воспроизводимость параметров диффузионных структур. В данном методе источник примеси, изготовленный в форме пластины, и пластины полупроводника размещают параллельно друг другу на расстоянии, не меньшем 2 yDt, где D - коэффициент диффузии в газовой фазе. Для того чтобы поток диффузанта по всей площади был равномерным, размеры пластин источника должны превышать размеры полупроводниковых пластин. [11]
 |
Структура электронно-дырочного перехода приборов П401 - П403. [12] |
Диффузия примесей при получении транзисторных структур осуществляется несколькими различными способами. На одной пластинке германия одновременно изготовляют около 200 структур, а затем разрезают ее на отдельные приборы. В качестве материала применяют германий р-типа с удельным сопротивлением 0 65 ом - см. Слой л-типа получают путем диффузии сурьмы, а эмиттерный слой р-типа путем вплавления и рекристаллизации индия с добавкой галлия и сурьмы. При вплавлении такого сплава одновременно идет диффузия сурьмы в слой полупроводника - типа. [13]
 |
Установка для эпитаксиального наращивания. [14] |
Диффузия примеси обычно проводится при таких условиях, что концентрация диффундирующей примеси на поверхности пластины ( поверхностная концентрация) поддерживается постоянной. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5