Диффузия - примесь
Cтраница 2
Диффузия примесей в монокристаллический материал является одной из основных технологических операций при создании полупроводниковых приборов. При помощи диффузии формируются области с определенным типом проводимости и градиентом концентрации в раз -, личных участках пластины полупроводникового материала, создаются, диодные и транзисторные структуры, резисторы и прочие элементы интегральных схем. [16]
Диффузия примесей в германии и кремнии определяется теми же физическими основами, что и диффузия неосновных носителей. Диффузионное распространение примесей происходит из области с высокой концентрацией в область с низкой концентрацией. [17]
Диффузия примесей в монокристаллический материал является одной из основных технологических операций при создании полупроводниковых приборов. При помощи диффузии формируются области с определенным типом проводимости и градиентом концентрации в различных участках пластины полупроводникового материала, создаются диодные и транзисторные структуры, резисторы и прочие элементы интегральных схем. [18]
Диффузию примесей в замкнутом объеме проводят, как правило, в отпаянной кварцевой ампуле, которую предварительно откачивают до давления 10 - 2 - 10 - 3 Па или заполняют инертным газом. Молекулы пара примеси адсорбируются всеми поверхностями замкнутой ампулы, в том числе и поверхностями полупроводниковых пластин. [19]
Посредством диффузии примеси на материале р-типа образуется / 7-я-переход. [20]
 |
Конструктивные исполнения датчиков Холла. [21] |
Посредством диффузии примеси на материале р-типа образуется р - / г-переход. [22]
Для диффузии примесей от высотных источников Саттон, ориентируясь на экспериментальные данные, рекомендует считать коэффициенты С убывающими с ростом Я. [23]
Если диффузия примесей в жидкость недостаточно интенсивна, то перемещение плоской межфазной поверхности может прекратиться. Однако рри некоторых критических скоростях роста плоская межфазная поверхность делается неустойчивой и на ней появляется ряд выступов, образованных естественными гранями кристалла. Вершины их лежат на изотерме ликвидуса ( рис. 19.2, а), а основания на линии температуры наивысшего возможного переохлаждения. [24]
ИЮ Диффузии Примесей ИЗ 1 г0 3 мкм / мин; 2 - У1; 3 - V3 7 мкм / мин. [25]
Скорость диффузии примесей в полупроводниках обратно пропорциональна их предельной растворимости. Высокая растворимость примесей наблюдается в случае образования твердых растворов замещения. В случае когда атомы примесей в силу их слабой связи с решеткой не могут замещать узлы, образуются твердые растворы внедрения, область растворимости сужается, так как в междоузельном пространстве может разместиться меньшее количество атомов. Скорость же диффузии примесей по междоузлиям значительно выше скорости диффузии по вакансиям решетки. [26]
Примером диффузии примеси из слоя конечной толщины в полуограниченное тело с отражающей границей является диффузия в пластину кремния из эпитаксиального, имплантированного или диффузионного слоя, содержащего легирующую примесь и покрытого пленкой диоксида кремния. Границу пластины полупроводника с пленкой из SiO2 можно считать отражающей, так как коэффициенты диффузии большинства примесей в кремнии на несколько порядков выше, чем в его диоксиде. [28]
Метод диффузии примесей в составном ( полугерметическом) контейнере ( бокс-метод) является промежуточным между рассмотренными методами. Для проведения диффузии кварцевую кассету с полупроводниковыми пластинами размещают вместе с диффузантом в кварцевой ампуле с пришлифованной крышкой ( составном контейнере), которую вводят в открытую кварцевую трубу, находящуюся в однозонной печи. Так же как и в методе открытой трубы, через кварцевую трубу продувают инертный газ и диффузия идет при атмосферном давлении. В данном методе предпочтительней выбрать источник примеси, который при температуре; диффузии находится в жидком состоянии. При диффузии в кремний для этой цели чаще применяют смесь порошка легирующей примеси с диоксидом кремния. При этом на поверхности кремниевых пластин образуются легированные оксидные пленки, из которых диффузант проникает в кремний. [29]
Метод диффузии примесей в составном контейнере обладает рядом преимуществ по сравнению с методами диффузии в замкнутом объеме и в открытой трубе. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5