Диффузия - примесь
Cтраница 4
Первая теория диффузии примесей в атмосфере была создана Г. И. Тейлором в 1915 г. [39] и В. [46]
Поскольку скорость диффузии примеси в жидкой фазе значительно меньше скорости передвижения фронта кристаллизации, оттесняемая при этом примесь не успевает диффундировать в основную массу жидкости. [47]
 |
Схема устройства мощного. [48] |
После процесса диффузии примеси производится впла вление коллекторного электрода. Для этого кристалл с молибденовым шаблоном и соответствующим припоем помещается в угольный нагреватель. Перед оплавлением коллектора слой с электронной проводимостью может быть удален, что не сказывается на окончательных результатах. В вакуумной системе нагреватель доводится до температуры, большей температуры плавления системы алюминий - германий, и на слой германия с электронной проводимостью путем испарения наносится тонкая пленка алюминия - Вплавление этой пленки и коллекторного сплава ведется в течение нескольких минут и затем заготовка медленно охлаждается. Для получения хорошего контакта на поверхность алюминия путем испарения может быть нанесен слой серебра или другого металла, который легко смачивается припоем. [49]
Равенство потока диффузии примеси к катоду и скорости включения ее в осадок опять-таки справедливо только при отсутствии других путей расхода; при наличии таковых следует рассматривать общую скорость расхода по всем механизмам, тем более что в некоторых случаях серость включения составляет всего лишь 0 1 - 0 001 от общей скорости расхода. Наличие комплексообразования и химических реакций усложняет рассматриваемую картину, однако обычно не влияет на справедливость постулата УРасх. Действительно, сущность рассматриваемого допущения не меняется, если, например, комплекс, содержащий разряжающийся ион и включающуюся в осадок неметаллическую часть, подходит к поверхности катода, разряжается, освобождающаяся при этом примесь адсорбируется на поверхности и затем захватывается осадком. Если же включающийся в осадок комплекс или химическое соединение образуется вблизи поверхности катода или на ней, будучи одним из продуктов катодного процесса, то и в этом случае на поверхности происходит расход какого-то компонента электролита, и, следовательно, этот компонент должен в том или ином виде доставляться к поверхности путем диффузии из глубины раствора. [50]
Если скорость диффузии примесей больше, чем скорость роста фибрилл, то постепенно повышается концентрация примесей у растущей поверхности кристалла и скорость роста убывает. Однако в большинстве случаев, изученных Кейтом и Падденом, при различных условиях кристаллизации наблюдалась постоянная скорость роста сферолитов в радиальном направлении, что указывает на примерное постоянство концентрации примесей у вершин растущих фибрилл. [51]
Вторую стадию диффузии примесей проводят в однозонной диффузионной установке СДО-13 ( рис. 37 6), техническая характеристика которой приведена ниже и которая по устройству аналогична установке СДД-13, но не имеет камеры зоны источника диффузии. [52]
Если скорость диффузии примесей больше, чем скорость роста фибрилл, то постепенно повышается концентрация примесей у растущей поверхности кристалла и скорость роста убывает. Однако в большинстве случаев, изученных Кейтом и Падденом, при различных условиях кристаллизации наблюдалась постоянная скорость роста сферолитов в радиальном направлении, что указывает на примерное постоянство концентрации примесей у вершин растущих фибрилл. [53]
В случае диффузии примеси по вакансиям f и АК всегда положительны и меньше единицы, так же как и произведение f4 AK. Этот результат означает, что измерения изотопного эффекта в общем случае не могут дать определенного значения f, а могут только установить рамки изменения величин f и АК. Исключением являются случаи самодиффузии, когда значение, f точно известно. Если измеренное значение f & K достаточно близко к 1, то соответственно узкие рамки для f позволяют однозначно связать процесс диффузии с одним из известных механизмов. [54]
 |
Схема процессов обычной направленной кристаллизации ( а и центробежной направленной кристаллизации ( 6 жидкого кристалла. [55] |
Это затрудняет диффузию примеси от фронта кристаллизации, приближая ее коэффициент распределения к единице. При ЦНК обеспечивается интенсивное перемешивание расплава, а основная часть мезо-фазного слоя, обладающего повышенной вязкостью, по-видимому, отрывается от фронта кристаллизации и, попадая в высокотемпературную зону, переходит в изотропное состояние с существенно меньшей вязкостью. Благодаря этому при / 5 мм ч - и а 700д0 эффективный коэффициент распределения модельной примеси 4-н-гексилоксибензой - ной кислоты в 4-н-бутоксифенил - 4-н-гексилбензоате оказался равным всего 0 02, а оценка толщины диффузионного слоя составила 10 - 2 см. Таким образом, центробежная направленная кристаллизация может быть применена для решения аналитических и препаративных задач, относящихся к различным классам чистых веществ и микропримесей. [56]
На практике диффузию примеси осуществляют в легированный кремний. При температуре диффузии исходная и вводимая примеси оказываются практически полностью ионизированными, что приводит к образованию электрического поля, ускоряющего процесс диффузии. В результате действительное значение коэффициента диффузии оказывается выше расчетного. [57]
 |
Поперечный разрез пленарной структуры интегральной схемы серии SN52. [58] |
Схемы изготавливаются четырехкратной диффузией примесей. [59]
Коэффициент корреляции для диффузии примесей в кристаллах [66] зависит еще и от относительных скоростей перескоков атомов растворителя и растворенного вещества. Представим себе случай, когда скорость обмена вакансия - атом примеси ( а 2) очень мала по сравнению со скоростью обмена вакансии - атомы растворителя. Значит каждый последующий перескок атома примеси за счет обмена с вакансией будет преисходить только после того, как вакансия много раз совершит обмен с атомами растворителя и, следовательно, ее положение по отношению к примеси становится случайным. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5