Диффузия - примесь
Cтраница 3
Особенностью диффузии примеси в случайных волновых полях, как отмечалось в разделе 8.2, является то обстоятельство, что для таких задач коэффициенты диффузии как в приближении дельта-коррелированности во времени поля скоростей, так и в диффузионном приближении обращаются в нуль. [31]
Процесс диффузии примесей происходит при температуре, близкой к температуре плавления полупроводника ( порядка 1300 С для кремния), причем для хорошей воспроизводимости результатов температура должна поддерживаться с точностью не ниже 2 С. [32]
Помимо рассмотренной диффузии примесей по регулярной решетке, в химии люминофоров существенное значение имеет диффузия вдоль дислокаций и субграниц, тем более что речь идет о перемещении малых количеств примеси. Ослабленность связей вблизи дислокаций и повышенная концентрация вакансий, источником которых являются дефекты этого типа ( см. гл. V, § 1), приводят к росту коэффициентов диффузии и к тому, что введение примесей в кристаллы становится возможным при температурах значительно ниже температуры разрыхления решетки. Особенно большую роль это играет в случае порошковых люминофоров, характеризующихся высокой плотностью линейных и поверхностных дефектов и малыми размерами кристаллов. [33]
 |
Зависимость коэффициентов самодиффузии D серебра от температуры. [34] |
Поэтому диффузию примеси, в соответствии с рис. 11.4 следует представить таким образом, что наиболее быстро протекает поверхностная диффузия. Наряду с этим происходит диффузия по границам зерен и, наконец, диффузия в решетке различно ориентированных кристаллов. [35]
Описывает диффузию примеси в горизонтальном потоке, компоненты скорости которого линейно зависят от высоты. [36]
 |
Ацетиленовый баллон с четырьмя вентилями. [37] |
Рассмотрим диффузию примеси, приводящую к выравниванию концентраций в ацетиленовом баллоне, как вероятностный процесс, описываемый уравнением Гаусса. Примем также, что вся примесь в начальный момент времени находится у дна баллона. [38]
Под диффузией примесей в каком-либо теле понимают направленное их перемещение. [39]
Под диффузией примесей в каком-либо теле понимают направленное перемещение их в сторону убывания градиента концентрации этих примесей. Диффузионные продессы происходят как в газообразных, так и в жидких и твердых телах. Скорость процесса характеризуется коэффициентом диффузии, который определяется массой вещества, проникающего через единичную площадку за единицу времени при градиенте концентрации, равном единице, и имеет размерность см2 / сек. [40]
Под диффузией примесей в каком-либо теле понимают вызванное наличием градиента концентрации этих приме сей перемещение их в сторону убывания градиента. Диф фуэионные процессы происходят как в газообразных, та и в жидких и твердых телах. Скорость диффузии характе ризуется коэффициентом диффузии, который определяете; массой вещества, проникающего через единичную пло щадку за единицу времени при градиенте концентрации равном единице, и имеет размерность см / сек. [41]
При этом диффузия примесей производится из эмиттер-ной навески, находящейся в расплавленном состоянии. Для этого в состав сплава эмиттерной навески вводятся элементы III и V групп. [43]
Самодиффузия и диффузия примесей в этих соединениях исследовалась также в широком интервале температур на монокристаллических слитках, выращенных из расплава химически чистых компонент. Выли измерены коэффициенты диффузии РЬ, Те, Sb и Sn в РЬТе и коэффициенты диффузии Se и Sb в PbSe. [44]
Существующая теория диффузии примесей в полупроводниках хорошо удовлетворяет целям расчета, если концентрация диффундирующих атомов примеси меньше эффективной плотности квантовых состояний в соответствующей разрешенной зоне. В этом случае атомы примеси в решетке полупроводника находятся на больших расстояниях друг от друга, и их взаимодействием в первом приближении можно пренебречь. При сильном легировании кроме взаимодействия атомов примеси с атомами основного вещества и со структурными дефектами может проявляться также взаимодействие между самими легирующими атомами. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5