Диффузия - цинк
Cтраница 1
Диффузия цинка проводилась в механически полированные пластины, ориентированные по плоскости ( 111), в отпаянных кварцевых ампулах при температуре 850 С с избыточным давлением мышьяка. [1]
Коэффициент диффузии цинка при 900 С составляет около 10 u см / сек, а энергия активации диффузии-около 2 5 эв. Эти величины вполне сравнимы с соответствующими значениями для индия, галлия и других акцепторов в германии. С другой стороны, коэффициент диффузии меди равен - - 10 - 5 см2 / сек при 600 С, а кажущаяся энергия активации составляет 0 2 эе или еще меньше. [2]
Коэффициент диффузии цинка в монокристалле меди при 1320 и 1010 К равен соответственно 1 0 - 10 - 12 и 4 0 10 15 м2 / с. [3]
Коэффициент диффузии цинка в монокристалле меди при 1320 и 1010 К равен соответственно 1 0 10 - 12 и 4 0 10 15 м2 / с. [4]
Поскольку коэффициент диффузии цинка зависит от концентрации цинка, то глубина легирования в значительной степени зависит от толщины окисной пленки. Из рис. 10 - 16 следует, что глубина легирования зависит от толщины окиспого слоя, даже если время проведения диффузии всего 1 час. Метод дает возможность регулировать поверхностную концентрацию, получать результаты с высокой воспроизводимостью, обеспечивает гибкость процесса селективной диффузии из твердого тела. Возможности и гибкость новой системы ярче всего проявляются при сравнении с обычными методами диффузии. На рис. 10 - 17 показана обычная последовательность процесса: выращивание маски из двуокиси кремния, вытравливание окон с применением методов фотолитографии, проведение диффузии примесей с целью образования р - - - перехода. Процесс можно провести либо обычным способом, либо изменить последовательность операций таким образом, чтобы твердый источник наносился на пластину и затем удалялся с применением метода фотолитографии с тех поверхностей, в которые нежелательно проводить диффузию, прежде чем температура пластины не будет доведена до температуры диффузии. [5]
Кремний задерживает диффузию цинка и понижает растворимость водорода в латунях, при этом уменьшается опасность образования пористости при кристаллизации паяного шва. По мнению Г. А. Аси-новской на поверхности латуни при нагреве в окислительном газовом пламени образуется слой, непроницаемый для цинка, причем этот слой растворяется во флюсе. [6]
 |
Температурная зависимость.| Распределение радиоактивного цинка в слое феррита цинка ZnFe204. [7] |
Уже сравнение констант диффузии цинка и железа в цинк - Железной шпинели и констант скорости реакции образования цинк-железной шпинели делает вероятным механизм Вагнера. [8]
При этой температуре облегчается диффузия цинка через амальгаму, благодаря чему при прохождении раствора через редуктор реакция протекает более энергично. [9]
Для исследования электролюминесценции эпитакеиальных слоев в них проводилась диффузия цинка из газовой фазы в откачанных и отпаянных ампулах. [10]
При добавлении к а-латуни 1.1 % Sn коэффициент диффузии цинка возрастает в 11 раз, а добавка 1.8 ат. Sn увеличивает этот коэффициент в 16 раз по сравнению с а-латунью без примеси олова. [11]
При добавлении к а-латуни 1.1 % Sn коэффициент диффузии цинка возрастает в 11 раз, а добавка 1.8 ат. Sn увеличивает этот коэффициент в 16 раз по сравнению с а-латунью без примеси олова. [12]
Затем изделие погружается в расплавленный цинк, причем происходит диффузия цинка в железо и растворение железа в расплавленном цинке. [13]
 |
Спектральные характеристики диода из арсенид-фосфида галлия. [14] |
Эта характеристика относится к диодам, изготовленным с помощью диффузии цинка в пластинку из арсенида галлия, легированного теллуром или кремнием. В результате на глубине 50 мк образуется р-л-переход. Из кристаллов вырезались стержни с ровными гранями, перпендикулярными плоскости электронно-дырочного перехода. [15]
Страницы: 1 2 3 4