Диффузия - цинк
Cтраница 3
 |
Изменение оптической плотности линии Zn 3075 9 А при испарении цинка в различных газах. [31] |
На рис. 80 приведены соответствующие осциллограммы. Обработка опытных данных показала, что коэффициенты диффузии цинка в этих газах действительно различаются в 2 8 раза, что хорошо совпадает с теоретической величиной. Таким образом, с целью уменьшения диффузии паров следует применять инертные газы с большим диаметром молекул, например аргон. [32]
 |
Зависимость глубины диффузии цинка от толщины защитной пленки SiO2 в различных режимах. [33] |
Для полной защиты пластины от проникновения цинка при температуре 900 С и 2-часовой длительности процесса толщина окисной пленки должна быть порядка 9000 А. Поэтому при использовании в качестве защитного покрытия пленки двуокиси кремния диффузия цинка проводится при температуре 850 С в течение 1 ч ica. Защита двуокисью кремния от диффузии олова дает несколько лучшие результаты, но и она несовершенна. [34]
 |
Влияние напряжения на распределение пор по зерну после отжига латуни при 600 С в течение 5 ч. [35] |
Были получены значения, которые находились в соответствии со значениями коэффициента диффузии цинка и магния в алюминии, а энергия активации процесса порообразования для сплава В-92 оказалась близкой к значениям энергии активации диффузии цинка в алюминии: 111 и 109 - 117 кдж / г-атом ( 26 4 и 26 - 28 ккал / г-атом) соответственно, получаемых независимо в диффузионных опытах. [36]
 |
Зависимость энергии активации диффузии примесей Q в серебре ( / и меди ( 2 от разницы валентностей z. [37] |
В пользу такого предположения свидетельствует также тот факт, что коэффициент диффузии цинка в р-лат. [38]
Оплавленное покрытие не подвержено иглообразованию. На цинкосодер-жащих сплавах покрытие должно применяться по подслою никеля, предотвращающего диффузию цинка в покрытие и иглообразование. [39]
Оплавленное покрытие не подвержено иглообразованию. На цинкосодержащих сплавах покрытие должно применяться по подслою никеля, предотвращающего диффузию цинка в покрытие и иглообразование. [40]
Аналогичные явления наблюдаются при диффузионном насыщении медного покрытия в парах цинка. Существует оптимальное соотношение температуры паров цинка и образца, при котором происходит наиболее интенсивная диффузия цинка в медь. [41]
Кроме горячего цинкования железа путем погружения его на 1 5 - 5 мин в расплавленный цинк с температурой 440 - 450 С с целью получения цинкового покрытия, обладающего высокой коррозионной стойкостью, небольшое применение имеет также метод диффузионного цинкования. При зтом методе на поверхности стали создается слой железо-цинкового сплава за счет диффузии цинка в железо. [42]
Для этого в образце латуни, подвергавшемся отжигу в вакууме, микроскопически определяли глубину области, содержащей пары. Диффузионный поток, возмещающий испаряющийся цинк, вызывает при этом из-за разности парциальных коэффициентов диффузии цинка и меди избыток вакансий. [43]
При выращивании твердых растворов этого типа используют в качестве донорной лигатуры гидриды H2S или H2Se, а акцепторной - чаще всего пары Zn. Хотя излучающий переход может быть изготовлен непосредственно в процессе эпитаксии твердого раствора, в большинстве случаев р-область формируют диффузией цинка. Это объясняется тем, что мелкие переходы ( 1 - 2 мкм) можно получить при диффузионном легировании. Это уменьшает эффект самопоглощения излучения р-слоем. [44]
Благодаря этому обстоятельству потери, связанные с поглощением в полусферической части устройства, будут уменьшены, поскольку коэффициент поглощения в материале - типа быстро уменьшается с увеличением длины волны. Полуширина спектра излучения составляет примерно 50 нм, что также заметно отличается от соответствующей величины для диода, полученного путем диффузии цинка. [45]
Страницы: 1 2 3 4