Диффузия - цинк
Cтраница 2
К кристаллическим сплавам этот способ обработки применяется очень ограничено, так как диффузия цинка происходит предпочтительно лишь по некоторым границам, что приводит после растворения цинка к выпадению только отдельных кристаллитов. [17]
При осаждении золотого покрытия на латунь рекомендуется подслой никеля, который предотвращает диффузию цинка на поверхность золотых покрытий из основного металла. [18]
На основе легированного теллуром фосфида галлия п-типа проводимости получены р - п переходы при диффузии цинка из газовой фазы. При прямом смещении в таких переходах наблюдалась электролюминесценция, обусловленная инжекцией неосновных носителей заряда в область р - п перехода и последующей рекомбинацией их через примесные центры. [19]
При травлении травителем № 1, который применяется для обнаружения р - я-перехода, полученного при диффузии цинка, р - rt - переход в арсени-де галлия, полученный при диффузии кадмия, не был выявлен. [20]
Это выражение приводит к коэффициенту диффузии, гораздо меньшему, по крайней мере при более низких температурах, чем коэффициент диффузии цинка. Главная трудность, возникающая при трактовке этих результатов, заключается в выяснении вопроса о полноте замораживания равновесия. [21]
Низкая стойкость конструкционных материалов при контакте с жидкими металлами, и в частности с цинком и сплавами на его основе, объясняющаяся большой скоростью диффузии цинка в глубь материала, вызывает необходимость создания защитных покрытий, повышающих эксплуатационные свойства сталей в расплавах жидких металлов. [22]
Таким образом, в процессе конденсации цинка на меди даже при невысоких температурах образуются диффузионные слои, причем их достаточно большая толщина свидетельствует не только об ускорении диффузии цинка в медь, но и меди в растущий цинковый конденсат. [23]
Полосковые контакты в структурах с толстым слоем Al Gaj As наносятся непосредственно на слой твердого раствора ( рис. 3.21, а), в приповерхностную область которого предварительно проводится диффузия цинка из газовой фазы, увеличивающая поверхностную концентрацию акцепторов, а для улучшения адгезии перед диффузией и нанесением контакта вытравливают полосковые углубления. [24]
При диффузии цинка при 620 - 650 С в легированный азотом GaP, полученный жидкостной эпитаксией и химическим осаждением из газовой фазы, квантовый выход диодов, изготовленных химическим осаждением из газовой фазы, в 2 раза меньше, чем квантовый выход диодов, полученных жидкостной эпитаксией. [25]
Для нанесения цинкового покрытия горячим способом изде: лие после химической подготовки и обработки флюсом погружают в ванну с расплавленным цинком. В результате диффузии цинка в железо, а также растворения железа в расплаве, на поверхности изделия образуется покрытие железо-цинкового сплава, состоящее из нескольких различных по составу слоев. При извлечений из расплава поверх слоя желез оцинковых соединений на издег лии откладывается относительно тонкий слой цинка. [26]
Была также произведена оценка распределения пористости по зерну от поверхности в глубь образца. Учитывалась скорость диффузии цинка и меди в латуни и, что в соответствии с данными [386], на ранней стадии процесса испарения практически все вакансии уходят на поверхность, а на более поздних стадиях часть вакансий уходит на поверхность, а другая, примерно такая же часть, остается в образце. В этом случае большая часть оставшихся и, следовательно, скоагулировавших в поры вакансий должна наблюдаться на некотором расстоянии от поверхности. [27]
Значительное уменьшение испарения цинка в латуни достигается при введении в нее 0 1 - 0 5 % Si. Кремний задерживает диффузию цинка и понижает растворимость водорода в лату-нях, при этом уменьшается опасность образования пористости при кристаллизации. [28]
Измерены параметры диффузии акцепторных атомов цинка и кадмия в арсениде галлия. Анализ полученных данных свидетельствует о диффузии цинка и кадмия в GaAs по вакансиям в подрешетке галлия. При диффузии цинка частично протекает реакция вытеснения галлия цинком. [29]
Экспериментально установлено, что при коррозии твердого железа в расплавленном цинке происходит образование интерметаллидов: Fe5Zn2b FeZnio, FeZnis. Образующийся слой интерметаллидов FesZn2i тормозит диффузию цинка в железо и железа в цинк, в результате чего зависимость масса растворенного железа - время имеет параболический характер. [30]
Страницы: 1 2 3 4