Диффузия - цинк
Cтраница 4
Наиболее распространенным методом изготовления светодиодов является диффузионный метод с использованием обычной планарной технологии, пригодной для использования пластин большой площади. В качестве исходного материала берется монокристалл фосфида галлия, полученный методом выращивания из расплава, легированного теллуром и кислородом; р-га-переход создается диффузией цинка. [46]
Такое покрытие обеспечивает весьма эффективную защиту от окисления вследствие образования наружного защитного слоя ZnO; процесс, определяющий скорость окисления, состоит в диффузии внедренного цинка через ZnO из слоя NbZn3, который является в данном случае источником цинка. Покрытие обладает высокой способностью к самозалечиванию в результате активности цинка в NbZn3; поры и трещины в окисной пленке уплотняются за счет окисления цинковых паров внутри этих дефектов. К сожалению, эти покрытия непригодны для работы при температурах выше 1100 из-за разложения цинково-ниобиевых соединений. [47]
Наиболее распространенным методом изготовления светодиодов является диффузионный метод. В качестве исходного материала для получения красного излучения берется монокристалл фосфида галлия, полученный методом выращивания из расплава, легированного теллуром и кислородом; р-гс-переход создается диффузией цинка. Присутствие комплексов цинк - - кислород обеспечивает излучательную рекомбинацию с длиной волны 660 нм. [48]
Наиболее подходящим технологическим способом изготовления электронно-дырочных переходов для генераторов света является диффузия примесей. В случае генератора из арсенида галлия для базовой области используют электронный полупроводник с сопротивлением 3 - Ю18 ом-см, легированный теллуром, а для получения дырочной области производят диффузию цинка. Глубина залегания перехода составляет 30 - 40 мк со стороны дырочной области. [49]
Были получены значения, которые находились в соответствии со значениями коэффициента диффузии цинка и магния в алюминии, а энергия активации процесса порообразования для сплава В-92 оказалась близкой к значениям энергии активации диффузии цинка в алюминии: 111 и 109 - 117 кдж / г-атом ( 26 4 и 26 - 28 ккал / г-атом) соответственно, получаемых независимо в диффузионных опытах. [50]
Измерены параметры диффузии акцепторных атомов цинка и кадмия в арсениде галлия. Анализ полученных данных свидетельствует о диффузии цинка и кадмия в GaAs по вакансиям в подрешетке галлия. При диффузии цинка частично протекает реакция вытеснения галлия цинком. [51]
 |
Спектральные пики в спектре излучения GaP ( в эВ. [52] |
Для получения высокой эффективности зеленого излучений необходимо устранить все следы кислорода. Переход в этом диоде был получен диффузией цинка в легированный теллуром материал - типа, содержащий также высокую концентрацию азота. В материале, кроме того, присутствовал кислород в количестве, достаточном для того, чтобы полоса, связанная с излучением пар Zn-О, доминировала при высоких температурах. При низких температурах преобладают переходы на изоэлектронных ловушках NN, как это было рассмотрено в разд. [53]
Таким образом, несмотря на то что два донора ( Lif) замещаются одним ( Znf), достигаемое состояние обеспечивает большее по сравнению с исходным количество доноров. Однако избыточный Zn, образовавшийся по реакции (XX.12), явяляется неустойчивым: из рис. XX.3 видно, что в состоянии равновесия концентрации V6 и Zn должны уменьшаться, а не увеличиваться, как это следует из уравнения ( XX. Поэтому для объяснения уменьшения электропроводности кристалла необходимо допустить возможность диффузии цинка ( вместе со своим электроном) из объема кристалла па поверхность. [54]
Недостатком гальванических оловянных покрытий является склонность к потемнению при хранении. Коричнево-серый налет ухудшает наружный вид покрытия и затрудняет пайку. Особенно отчетливо наблюдается это явление на латуни, что объясняется диффузией цинка в покрытие. Избежать образования налета можно, осаждая - 3-мкм подслой никеля или меди. [55]
 |
Распределение In в & твердом растворе сплава AI 7, 19 2 % Zn. a - без ТО. б-г - соответственно 5, 10 и 20 циклов. [56] |
Не изменяется только электрическая проводимость сплава, содержащего 3 % Zn, у которого цинк в исходном состоянии, по-видимому, находится полностью в растворенном виде. Рост электрической проводимости сплавов; содержащих от 7 8 до 19 2 % Zn, по мере увеличения числа циклов п свидетельствует об интенсивной диффузии цинка в твердый раствор и уменьшении концентрационной неоднородности. В литом состоянии в сплаве, содержащем 19 2 % Zn, наблюдается значительная ликвация цинка. По мере нарастания числа циклов неравномерность распределения его уменьшается, и по достижении 20 циклов весь цинк распределяется в образце практически равномерно. [57]
При рассмотрении шлифа гальванически хромированного образца, нагревавшегося 24 ч в вакууме при 850 С, наряду с решетчатой диффузией можно увидеть диффузию по границам зерен. Например, при диффузии цинка в железо наблюдают те же фазы, что и при горячем цинковании. [58]
Страницы: 1 2 3 4