Диффузия - электрон
Cтраница 1
 |
Полупроводниковый выпрямитель ( вентиль.| Германиевый выпрямитель ( вентиль. [1] |
Диффузия электронов и дырок прекращается, когда силы электрического поля в переходе Э - Д уравнивают силы, вызывающие эту диффузию. [2]
Диффузия электронов в электрическом поле не может быть рассмотрена здесь количественно, так как анализ этого вопроса достаточно сложен. Нетрудно видеть, что средняя скорость дрейфа электронов, обусловленная градиентом концентрации и электрическим полем, не может быть получена просто совместным решением уравнений (4.4) и (5.1), так как электроны имеют среднюю энергию ( или температуру), значительно превышающую среднюю энергию молекул газа. Кроме того, во многих случаях неясно, является ли распределение скоростей максвелловским и представляет ли собой это распределение хорошее приближение. Не следует также пользоваться зависимостями, полученными в предположении, что при столкновении не происходит передачи импульса и энергии; формальные решения часто имеют простой вид, но, к сожалению, они не являются даже приблизительно правильными. [3]
Диффузии электронов противодействует сильное электрическое поле темного катодного пространства. [4]
Диффузия электронов из базы в эмиттер восполняется притоком в базу новых электронов из внешней цепи, что и определяет величину и направление электронной составляющей тока эмиттера. Для цепи базы-электронная составляющая / э замыкается во входной цепи эмиттер - база и не участвует в создании тока коллектора. Эта составляющая является бесполезной и служит источником тепловых потерь. [5]
Диффузия электронов идет быстрее, чем диффузия положительных ионов. Поэтому, казалось бы, электроны должны выходить из ствола дуги скорее, чем положительные ионы. Однако при выходе из ствола дуги некоторого количества электронов избыточные положительные ионы, оставшиеся в дуге, притягивают уходящие электроны и тормозят их движение. Следовательно, из ствола дуги выходит равное количество электронов и положительных ионов. [6]
Диффузия электронов и дырок описывается уравнениями непрерывности, которые выражают условия динамического равновесия концентрации неосновных носителей заряда в полупроводнике. [7]
Диффузия электронов между ионами одного металла с переменной валентностью, находящимися в эквивалентных местах решетки, совершается с большой скоростью и малой затратой энергии и определяет электрическую проводимость феррита. [8]
Коэффициент диффузии электронов обычно значительно больше коэффициента диффузии дырок. Поэтому при диффузии электроны опережают дырки, происходит некоторое разделение зарядов - поверхность полупроводника приобретает положительный заряд, а объем заряжается отрицательно. Таким образом, в полупроводнике при его освещении возникает электрическое поле или ЭДС, которую иногда называют ЭДС Дембера. Возникшее электрическое поле будет тормозить электроны и ускорять дырки при их движении от поверхности полупроводника, в результате чего через некоторое время после начала освещения установится динамическое равновесие. [9]
Процесс диффузии электронов в магнитном поле приобретает несколько своеобразные черты. Во-вторых, с увеличением плотности сре-дьи скорость поперечной диффузии сначала возрастает и лишь но достижении определенной плотности начинает уменьшаться. Такая инверсия зависимости является результатом ограничения свободы перемещения электронов в направлении нормали к силовым линиям магнитного поля. [10]
Коэффициент диффузии электронов при градиенте концентрации х не дается как функция и законом Энштейна D kTpfe ( см. прим. Как только электронный газ вырождается, он находится в сильной зависимости от непарабо-личности зоны. [11]
Коэффициент диффузии электронов обычно значительно больше коэффициента диффузии дырок. Поэтому при диффузии электроны опережают дырки, происходит некоторое разделение зарядов - поверхность полупроводника приобретает положительный заряд, а объем заряжается отрицательно. ЭДС, которую иногда называют ЭДС Дембера. Возникшее электрическое поле будет тормозить электроны и ускорять дырки при их движении от поверхности полупроводника, в результате чего через некоторое время после начала освещения установится динамическое равновесие. [12]
 |
Сетка дискретных резисторов и диодов, моделирующая сопротивления р-базы и перехода / 3.| Распределение плотности тока управления, протекающего через переход / г. [13] |
Учитывая диффузию электронов, инжектированных током управления в направлении у, следует ожидать, что за время физической задержки включения заряд базы дополнительно распространится на расстояние, примерно равное Ln. [14]
Вопрос о диффузии электронов и ионов поперек магнитного поля представляет большой интерес для физики плазмы. Такой разряд без магнитного поля хорошо изучен как теоретически, так и экспериментально, и поэтому он представляет собой удобный объект для теоретического исследования и сопоставления полученных результатов с экспериментальными данными. Именно этой задаче и посвящена настоящая работа. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5