Диффузия - электрон
Cтраница 2
 |
Удельная теплоемкость [ IMAGE ] - 10. Удельная теплопровод-плазмы воздуха в зависимости от ность плазмы азота в зависимости температуры от температуры. [16] |
В плазме диффузия электронов и диффузия положительных ионов между собой электростатически связаны. [17]
Так как диффузия электронов из га-области в р-область идет против сил поля двойного слоя, то энергия электронов в р-области повышается. На потенциальной диаграмме ( рис. IX-6, б) это изображается сдвигом всех уровней в р-области вверх, в сторону повышения потенциала электронов. [18]
 |
Диаграмма энергетических уровней р-п-пе-рехода. [19] |
По мере диффузии электронов в р-область в этой области поблизости от р-гс-перехода образуется отрицательный объемный заряд. Аналогичный положительный объемный заряд образуется в га-области. Образование объемных зарядов приводит к возникновению в области p - n - перехода так называемого потенциального барьера, препятствующего дальнейшей диффузии носителей. Несмотря на наличие объемных зарядов, в целом полупроводник остается нейтральным и находится в состоянии электрического равновесия. [20]
Однако коэффициенты диффузии электронов и дырок, как правило, различны ( при Т s300 К в Ge: Dn97 см2 / с; Dp 44 см2 / с [1313]; в Si: Dn 31 см2 / с; Dp 13 см2 / с [1712]), что приводит к появлению объемных зарядов, поле которых будет замедлять движение более быстрых и ускорять движение более медленных носителей. [21]
Определим коэффициенты диффузии электронов и дырок в германии при Г300 К. [22]
 |
К выводу соотношения между контактной разностью потенциалов и разностью между работами выхода двух металлов. [23] |
Вследствие этого начнется диффузия электронов от В1 к В % и переход излишних электронов внутрь тела В2, пока потенциал тела В2 по отношению к В1 не сделается таким, что поле будет препятствовать дальнейшему переносу электронов от Вг к В2, Выделим между телами В1 и В2 цилиндр с поперечным сечением S и рассмотрим силы, действующие на электронный газ, находящийся в тонком слое С толщиною dl, вырезанном в этом цилиндре перпендикулярно к его оси. На слой С действуют: 1) разность давлений электронного газа на верхнюю и нижнюю границы слоя; эта сила равна градиенту давления, умноженному на dl и на площадь сечения цилиндра S, и 2) сумма всех сил, действующих на электроны, находящиеся в слое. [24]
Оба процесса - диффузия электронов и увлечение электронов фононами - приводят к образованию избытка электронов вблизи холодного конца проводника и недостатка их вблизи горячего конца. В результате внутри проводника возникнет электрическое поле, направленное навстречу градиенту температуры. При определенном, вообще говоря, - своем для каждого сечения проводника, значении поля сумма диффузионного и фононного потоков электронов становится равной нулю, и, следовательно, устанавливается стационарное состояние. [25]
Оба процесса - диффузия электронов и увлечение электронов фононами - приводят к образованию избытка электронов вблизи холодного конца проводника и недостатка их вблизи горячего конца. В результате внутри проводника возникнет стороннее ( неэлектростатическое) поле Е, направленное навстречу градиенту температуры. [26]
Увеличение эффективного коэффициента диффузии электронов в базе при высоком уровне инжекции связывают с появлением дополнительного ускоряющего поля. Это поле возникает вследствие неполной компенсации заряда инжектированных в базу электронов зарядом дырок - основных носителей. [27]
Это поле уравновешивает диффузию электронов, смещая их в область с большей концентрацией, и ускоряет дырки в обратном направлении - к коллектору. [28]
Нагревание проводника вызовет диффузию электронов в ближайшие к ab участки проводника, вследствие чего потенциал проводника несколько повысится. Текущий ток, приближаясь к точке а, должен преодолеть потенциальный порог. Это потребует дополнительной энергии, которая отнимается у металла. Наоборот, из точки Ь ток переходит в область более низкого потенциала и в этом месте выделяется дополнительная энергия, передаваемая металлу. В результате точка с максимумом температуры смещается в направлении протекания тока. [29]
Под действием этого поля диффузия электронов замедляется, в результате макроскопич. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5