Диффузия - электрон
Cтраница 4
Таким образом, электрические токи диффузии электронов и дырок направлены в разные стороны и частично компенсируют друг друга. Мы говорим здесь о частичной компенсации, так как коэффициенты диффузии электронов и дырок различны и даже при выполнении условия электронейтральности и равенстве градиентов концентрации электронов и дырок полная взаимная компенсация этих токов не наступает. Заметим, что обычно Dn Dp. Предположим, что мы имеет электронный полупроводник в состоянии термодинамического равновесия. [46]
Таким образом, электрические токи диффузии электронов и дырок направлены в разные стороны и частично компенсируют друг друга. Мы говорим здесь о частичной компенсации, так как коэффициенты диффузии электронов и дырок различны и даже при выполнении условия электронейтральности и равенстве градиентов концентрации электронов и дырок полная взаимная компенсация этих токов не наступает. [47]
Эти решетки возникли за счет диффузии электронов вправо и влево относительно точки возбуждения. Фактически, конечно, различные электроны проходят различные расстояния. [48]
 |
Изменения векторов относительных скоростей электрона v и иона V в системе центра масс при рассеянии. [49] |
В дополнение к этому происходит также диффузия электронов в направлениях vx и vu пространства скоростей, вызванная отличными от нуля диффузионными коэффициентами ( &vxx) Cp и ( Aify cp - Это приводит к размазыванию функции распределения электронов по скоростям ( рис. 7.3, б, в) и в конечном счете к установлению равнораспределения энергии по степеням свободы. [50]
В месте соединения различных металлов вследствие диффузии электронов возникает контактная разность потенциалов, которая, так же как контактные потенциалы этих металлов, зависит от работ выхода и температуры. [51]
Убыль концентрации электронов имеет место вследствие диффузии электронов к металлическим стенкам рязрядной полости. [53]
Убыль концентрации электронов имеет место вследствие диффузии электронов к металлическим стенкам разрядной полости. [54]
 |
Прибор Таунсенда для измерения подвижности электронов. [55] |
Задача 1.50. Прибор Таунсенда для измерения диффузии электронов имеет вид, представленный на рис. 1.4. Нить F эммитирует электроны, которые проникают в дрейфовую камеру К через щель. Электроны поглощаются секционированными анодами 1 и 2, причем измеряется отношение токов / j и / 2 на эти электроды. [56]
Главный интерес здесь представляют вычисление скорости диффузии электронов по направлению к фронту скачка уплотнения и получающееся распределение электронов. Для рассматриваемого случая степень равновесной ионизации составляет примерно 10 %; следовательно, концентрацией электронов, соответствующей степени ионизации меньше 0 1 %, можно пренебречь. В таком случае остается определить, окажет ли сильное влияние различие Тк и Т для х 10 - 3 на определение скорости диффузии электронов. [57]
 |
Контакт двух полупроводников с разными видами электропроводности.| К вопросу об односторонней электропроводности электронно - дырочного перехода. [58] |
Электрическое поле, образовавшееся в результате диффузии электронов из одного металла в другой, препятствует движению электронов через контакт. По мере перехода электронов увеличивается разность потенциалов V к и усиливается электрическое поле, противодействующее движению электронов. Процесс заканчивается по достижении равновесия, при котором силы электрического поля равны сторонним силам, вызывающим диффузию электронов из одного металла в другой. Контактная разность потенциалов получает установившуюся величину, образуя для электронов определенный потенциальный барьер. [59]
 |
Определение контактной разности потенциалов на зонной диаграмме. [60] |
Страницы: 1 2 3 4 5