Cтраница 1
Движение дырок происходит в обратном направлении. [1]
Движение дырки в действительности представляет собой передвижение электронов в заполненной зоне под действием электрического поля. [2]
Движение дырок в базе перестает быть чисто диффузионным. [3]
![]() |
Как движутся дырки. [4] |
Значит движение дырок подобно движению положительных зарядов. В полупроводниках возникают как бы два встречных электрических тока - один из электронов, другой из дырок. [5]
Инерционность движения дырок в базе сказывается и в случае работы транзистора, например, в качестве усилителя синусоидального напряжения высокой частоты. Если время движения инжектированных носителей от эмиттера к коллектору сравнимо с периодом усиливаемого сигнала, то закон изменения концентрации дырок в базе, инжектированных эмиттером, не будет описываться кривой, монотонно убывающей от эмиттера к коллектору. [6]
Этому движению дырок способствует и напряжение батареи, включенной между базой и коллектором. [7]
Более наглядно движение дырок в кристалле можно представить себе на примере кинозала, в котором все места, кроме одного, заняты. Движение дырки подобно движению пустого места. [8]
Зе ускоряет движение дырок к коллектору. [9]
В процессе движения дырок через - область неизбежно имеет место процесс рекомбинации дырок и электронов. Это означает, что не все носители тока, соответствующие току эмиттера 1е, достигнут коллектора, где они могут дать существенный вклад в ток 1С, протекающий по цепи коллектора. [10]
![]() |
Движение носителей зарядов в работающем р-п - р транзисторе. Для больше ]. ясности ионы-на JTOM рисунке не показаны. [11] |
Ток поддерживается движением дырок от эмиттера к коллектору и электронов в обратном направлении. [12]
Проследим за движением дырок эмиттера в транзисторе. [13]
Подчеркнем, что движение дырки не есть перемещение какой-то реальной положительно заряженнай частицы. Представление о дырках отображает характер движения всей многоэлектронной системы в полупроводнике. [14]
Полученные результаты характеризуют движение дырок. Сигнал от электронов в относительно хорошо проводящих образцах отчетливо обнаруживался, однако он слишком мал для проведения количественных измерений. [15]