Движение - дырка - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
Если тебе трудно грызть гранит науки - попробуй пососать. Законы Мерфи (еще...)

Движение - дырка

Cтраница 1


Движение дырок происходит в обратном направлении.  [1]

Движение дырки в действительности представляет собой передвижение электронов в заполненной зоне под действием электрического поля.  [2]

Движение дырок в базе перестает быть чисто диффузионным.  [3]

4 Как движутся дырки. [4]

Значит движение дырок подобно движению положительных зарядов. В полупроводниках возникают как бы два встречных электрических тока - один из электронов, другой из дырок.  [5]

Инерционность движения дырок в базе сказывается и в случае работы транзистора, например, в качестве усилителя синусоидального напряжения высокой частоты. Если время движения инжектированных носителей от эмиттера к коллектору сравнимо с периодом усиливаемого сигнала, то закон изменения концентрации дырок в базе, инжектированных эмиттером, не будет описываться кривой, монотонно убывающей от эмиттера к коллектору.  [6]

Этому движению дырок способствует и напряжение батареи, включенной между базой и коллектором.  [7]

Более наглядно движение дырок в кристалле можно представить себе на примере кинозала, в котором все места, кроме одного, заняты. Движение дырки подобно движению пустого места.  [8]

Зе ускоряет движение дырок к коллектору.  [9]

В процессе движения дырок через - область неизбежно имеет место процесс рекомбинации дырок и электронов. Это означает, что не все носители тока, соответствующие току эмиттера 1е, достигнут коллектора, где они могут дать существенный вклад в ток 1С, протекающий по цепи коллектора.  [10]

11 Движение носителей зарядов в работающем р-п - р транзисторе. Для больше ]. ясности ионы-на JTOM рисунке не показаны. [11]

Ток поддерживается движением дырок от эмиттера к коллектору и электронов в обратном направлении.  [12]

Проследим за движением дырок эмиттера в транзисторе.  [13]

Подчеркнем, что движение дырки не есть перемещение какой-то реальной положительно заряженнай частицы. Представление о дырках отображает характер движения всей многоэлектронной системы в полупроводнике.  [14]

Полученные результаты характеризуют движение дырок. Сигнал от электронов в относительно хорошо проводящих образцах отчетливо обнаруживался, однако он слишком мал для проведения количественных измерений.  [15]



Страницы:      1    2    3    4    5