Движение - дырка
Cтраница 4
Определенным допущением является лишь представление о движении дырки как о непрерывном перемещении в пространстве некоторого сосредоточенного заряда. [46]
 |
Сгема кристаллического триода. [47] |
При наложении внешнего поля в прямом направлении движение дырок п электронов приводит к уменьшению толщины запирающего поля, при обратном направлении напряжения-к увеличению этой толщины. Было также показано, что на этот эффект накладывается увеличение проводимости запирающего слоя вследствие туннельного эффекта. Эти выводы подтверждены также исследованием поведения германиевых детекторов, подвергнутых специальной обработке. [48]
 |
Распределение дырок при инжекции ( кривые 1 - 3 и экстракции ( кривые 4 - 6 в условиях отсутствия и наличия электрических полей разной полярности. [49] |
Это понятно, поскольку положительное поле способствует движению дырок в направлении диффузии. [50]
 |
Зависимость максимальной амплитуды импульсов от энергии возбуждающих электронов Е0.| Осциллограммы импульсов напряжения образца РТМ полиэтилена ( ТТО 440 С. [51] |
Результаты, приведенные ниже, относятся к движению дырок. Сигнал от движения электронов лежал ниже чувствительности установки. Это связано с тем, что дырки дрейфуют в электрическом поле на значительно большие расстояния, чем электроны. [52]
 |
Распределение дырок при инжекции ( кривые / - 5 и экстракции ( кривые 4 - 6 в условиях отсутствия и наличия электрического поля. [53] |
Это понятно, поскольку положительное поле способствует движению дырок в направлении диффузии. [54]
К этому следует еще добавить, что и движение дырок в конечном счете обусловливается перемещением электронов. [55]
Протекание тока в цепи эмиттера обусловлено в основном движением дырок ( они являются основными носителями тока) и сопровождается их впрыскиванием - инжекцией - в область базы. Проникшие в базу дырки диффундируют по направлению к коллектору, причем при небольшой толщине базы значительная часть инжектированных дырок достигает коллектора. Здесь дырки захватываются полем, действующим внутри перехода ( притягиваются к отрицательно заряженному коллектору), и изменяют ток коллектора. Следовательно, всякое изменение тока в цепи эмиттера вызывает изменение тока в цепи коллектора. [56]
Протекание тока в цепи эмиттера обусловлено в основном движением дырок ( они являются основными носителями тока) и сопровождается их впрыскиванием - ив-жекцяея - в область базы. Проникшие в базу дырки диффундируют по направлению к коллектору, причем при небольшой толщине базы значительна часть инжектированных дырок достигает коллектора. Здесь дырки захватываются полем, действующим внутри перехода ( притягиваются к отрицательно заряженному коллектору), вследствие чего изменяется ток коллектора. Следовательно, всякое изменение тока в цепи эмиттера вызывает изменение тока в цепи коллектора. [57]
 |
Возникновение пары электрон-дырка в полупроводниковом. [58] |
Можно задать вопрос: почему мы говорим о движении дырки, а не о движении электронов, которые эти дырки образуют. [59]
 |
Распределение концентрации дырок в базе при медленных и быстрых изменениях тока эмиттера. [60] |
Страницы: 1 2 3 4 5