Движение - дырка
Cтраница 2
Напомним, что движение дырок фактически обусловлено эстафетным перемещением электронов от атома к атому. [16]
 |
Распределение электронов по уровням валентной зоны и зоны проводимости в собственном полупроводнике. [17] |
Подчеркнем, что движение дырки не есть перемещение какой-то реальной положительно заряженной частицы. Представление о дырках отображает характер движения всей многоэлектронной системы в полупроводнике. [18]
 |
Диаграммы распределения потенциалов в базе и р-ге-переходах транзисторов типа р-п - р при отсутствии внешних напряжений ( а и б и при их наличии ( в и г. [19] |
Закономерности, определяющие движение дырок в триодах типа р-п - р и электронов в триодах типа п-р - п, в основном одни и те же, за исключением противоположных полярностей напряжения на электродах и направлений тока в них. Это показано в условном обозначении типов триодов ( рис. 2.12, виг) стрелками на эмиттерах. Поэтому достаточно рассмотреть электрические свойства и режим работы одного из типов триодов, чтобы обобщить эти свойства для другого типа триода. Обычно рассматривается триод типа р-п - р, как наиболее распространенный. [20]
Через транзистор происходит сквозное движение дырок от эмиттера через базу к коллектору и лишь незначительная часть их из-за рекомбинации с электронами базы не доходит до коллектора. Часть электронов базы, рекомбинировавших с дырками эмиттера, восполняется электро-нами источника, которые посту-пают в базу через ее вывод. [21]
При этом направление движения дырок в электрическом поле противоположно направлению движения электронов. [22]
 |
Зонная схема образования и перемещения свободного электрона и дырки. [23] |
Итак, направление движения дырок всегда противоположно направлению движения электронов. Процесс перемещения дырок равносилен перемещению положительного заряда в кристалле. [24]
Под воздействием электрического поля движение дырок аналогично перемещению положительных зарядов. В результате помимо электрон -, ной возникает дырочная проводимость. [25]
Следует подчеркнуть, что движение дырок не есть перемещение реальных частиц, оно отображает характер движения всей многоэлектронной системы в полупроводнике. [26]
 |
Импульсный усилитель на транзисторе с индуктивной коррекцией. [27] |
Но траектории и скорости движения дырок в базе различны. Поэтому дырки, одновременно введенные в базу, достигают коллекторного перехода в разное время, благодаря чему наряду с задержкой наблюдается постепенное нарастание фронта импульса. [28]
В соответствии с направлением движения дырок в р-п-р-транзисторе эта стрелка направлена внутрь. Из эмиттера в базу теперь поступать будут не дырки, а электроны. Поэтому в условном изображении транзистора стрелка направлена наружу, и полярность питающих напряжений в схеме изменена на противоположную, что вызвало изменение направлений токов, протекающих в ней, также на противоположное. [29]
Аналогичные процессы происходят при движении дырок через кристалл. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5