Cтраница 3
![]() |
Образование свободного электрона до-норной примесью. [31] |
Проводимость, возникшую при движении дырок и электронов, образовавшихся при разрыве ковалентных связей, принято называть собственной проводимостью. [32]
![]() |
Уменьшение амплитуды сигнала дырок U ( t со временем в поле объемного заряда захваченных электронов. [33] |
При этом наблюдается импульс от движения дырок, вытянутых в объем кристалла полем объемного заряда захваченных электронов. Таким образом, амплитуда импульса является мерой величины объемного заряда. Амплитуда импульса движения дырок, представленная на рис. 85, уменьшается по экспоненциальному закону. [34]
Внутреннее поле оказывает влияние на движение дырок в базе. [35]
Таким образом, суммарный процесс движения дырок в пленках РТМ полимеров может быть изучен прямыми экспериментальными методами. При этом установлено, что подвижность определяет наблюдаемую в эксперименте зависимость электропроводности от температуры и приложенного электрического поля. [36]
Дрейфовое поле существенно увеличивает скорость движения дырок в базе, а следовательно, уменьшает время прохождения дырками базовой области и улучшает частотные свойства транзистора. Дрейфовое поле в базе создается так же, как потенциальный барьер в р - п переходе за счет диффузионного перераспределения носителей. Это поле не зависит от приложенных к электродам напряжений и определяется только распределением концентрации в базовой области. [37]
Физически это обусловлено возрастанием скорости движения дырок через базовую область, что соответственно уменьшает долю ре-комбинирующих дырок. [38]
В связи с этим около эмиттера движение дырок осуществляется в основном вследствие диффузии. [39]
![]() |
Схема, характеризующая механизм собственной проводимости полупроводника. [40] |
Следует иметь в виду, что движение дырок - это не движение носителя положительного заряда в электрическом поле, а следствие перескоков электронов. [41]
Вывод И, от которого начинается движение дырок, называется истоком, вывод С - стоком. [42]
![]() |
Окись никеля, содержащая малые добавки окиси хрома. [43] |
Полупроводники, в которых ток создается движением электронных дырок, называются полупроводниками с недостатком электронов или полупроводниками р-типа. [44]
Посмотрим теперь, как представление о движении дырок в твердом теле поможет объяснить наблюдаемое явление усиления тока. [45]