Движение - носитель - заряд
Cтраница 1
Движение носителей заряда из одной потенциальной ямы в другую происходит благодаря трем различным механизмам: самоиндуктированному дрейфу, диффузии и эффекту краевого поля. Самоиндуктированный дрейф вызывается саморасталкиванием носителей заряда и приводит к быстрой передаче, однако существует лишь при больших плотностях заряда. Диффузия приводит к экспоненциальному убыванию заряда под передающим электродом. Краевое поле действует в направлении передачи заряда и может значительно ускорить процесс передачи. Действие краевого поля также приводит к экспоненциальному убыванию заряда. [1]
Движение носителей заряда в полупроводнике в общем случае обусловлено двумя процессами: диффузией под действием градиента их концентрации и дрейфом под действием электрического поля. Полный ток состоит из четырех составляющих. [2]
Движение носителей заряда в электрическом поле называется дрейфом, а транзисторы, использующие его, - дрейфовыми. [3]
 |
Модуль и фаза коэффициента переноса Я дрейфовой ( а и диффузионной ( б моделей транзистора и характеристика ЙС-цепочки ( а. [4] |
Движение носителей заряда в электрическом поле называется дрейфом, а транзисторы, использующие его - дрейфовыми. [5]
Движение носителей заряда в них ограничено слоями GaAs, слои AlvGai xAs являются потенц. Если толщина последних не очень мала, гетероструктуру можно рассматривать как набор не свяаанных между собой пленок GaAs. Размерное квантование в достаточно тонких ( 10 - 7 - 10-в см) слоях GaAs приводит, в частности, к существенному изменению оптич. Аналогичные особенности обнаружены в спектрах люминесценции. [6]
Движение носителей заряда в полупроводнике в общем случае обусловлено двумя процессами: диффузией под действием градиента их концентрации и дрейфом под действием электрического поля. [7]
Если движение носителей заряда ограничивается пространственным зарядом, то наблюдается затянутый хвост даже в отсутствие состояний захвата. Время переноса, определяемое из формы импульса тока, меньше истинного времени переноса Тп в однородном электрическом поле Ev / d на 20 %, так как суммарное поле увеличивается за счет пространственного заряда. Если в кристалле присутствуют уровни прилипания, то разница становится еще меньше. [8]
На движение носителей заряда в полупроводниковых кристаллах существенно влияет поле кристаллической решетки. Под действием внешнего электрического поля одновременно изменяется как кинетическая, так и потенциальная энергия электрона. Поэтому величина энергии, которую нужно сообщить электрону для приобретения им в кристаллической решетке определенной средней скорости v, существенно зависит от величины и направления вектора скорости. [9]
Вид движения носителей заряда, при котором форма импульсов тока аналогична представленной на рис. 6.5.13 6, называют дисперсионным переносом. Эта теория предсказывает универсальность формы импульса, построенного в нормированных координатах, а также правильную функциональную зависимость наклонов обеих прямых, получаемых при таком построении. Кроме того, теория Шера - Монтролла ( ШМ) успешно объясняет аномальные зависимости времени пролета ( т от толщины образца и напряженности электрического поля, наблюдаемые экспериментально в случае дисперсионного переноса. [11]
Концентрация и движение носителей заряда в полупроводниках сильно зависят от наличия примесей в кристалле и от температуры, весьма чувствительны к действию электрического и магнитного полей и светового облучения. Появляется обширная литература, посвященная исследованию всех этих эффектов и созданию на их основе разнообразных приборов. Однако в этот же период электронная лампа вытесняет кристаллические детекторы. [12]
Рассмотрим теперь движение носителей заряда через границу при наличии электрического поля р-я-пере-хода. [13]
При описании движения носителей заряда в твердых телах обычно выделяют два предельных случая. В одном случае движение носителя рассматривается как распространение делокализованной плоской волны в широкой зоне проводимости; ему соответствует относительно большая средняя длина свободного пробега. Примером такого рода перемещения может служить перенос дырок в германии, у которого ширина валентной зоны равна - 3 эВ, время рассеяния т тц / е Ю-3 с, а средняя длина свободного пробега при Т 300 К составляет 1000 А, т.е. весьма велика по сравнению с межатомным расстоянием 2 45 А. В другом предельном случае носитель сильно локализован и перемещается путем перескоков от узла к узлу решетки, причем на каждом перескоке происходит рассеяние. Каждый вид переноса характеризуется своим значением подвижности и ее температурной зависимостью. [14]
 |
Энергетич. диаграмма для собств. ПП. ЗП - зона проводимости. ВЗ - валентная зона. Кс - нижний край зоны проводимости. Ес - верхний край валентной зоны. Е - энергия. ДЕ - ширина запрещ. зоны. [15] |
Страницы: 1 2 3 4