Движение - носитель - заряд
Cтраница 3
В работе кратко рассматривается движение носителей заряда в идеальной кристаллической решетке, изложен расчет подвижности носителей заряда с использованием кинетического уравнения Больцмана, а также приведены результаты расчета времени релаксации и подвижности носителей заряда при различных механизмах рассеяния. [31]
Физические явления, обусловленные движением носителей заряда под действием внешних и внутренних полей или разности температур, называются кинетическими явлениями, или явлениями переноса. К ним относятся электропроводность и теплопроводность, гальваномагнитные, термомагнитные и термоэлектрические явления. [32]
Физические явления, обусловленные движением носителей заряда в полупроводнике, в котором создан градиент температуры или действуют внутренние и внешние поля, называются кинетическими явлениями. Для их описания используется кинетическое уравнение Больцмана. [33]
Физические явления, обусловленные движением носителей заряда под действием внешних и внутренних полей или разности температур, называют кинетическими явлениями, или явлениями переноса. К ним относятся электропроводность и теплопроводность, гальвано - магнитные, термомагнитные и термоэлектрические явления. [34]
Физические явления, обусловленные движением носителей заряда в полупроводнике, в котором создан градиент температуры или действуют внутренние и внешние поля, называют кинетическими явлениями. Для их описания используют кинетическое уравнение Больцмана. [35]
 |
Энергия активации ( термическая в зависимости от количества я-электронов в системе сопряженных связей. [36] |
Процесс проводимости полупроводников определяется движением носителей зарядов внутри молеку - лы и их переходами от молекулы к молекуле. [37]
Уравнения переноса, которые описывают движение носителей заряда, возникающих под действием приложенных электрического или магнитного полей и диффузии. [38]
Под действием силы Лоренца траектория движения носителя заряда искривляется, что равносильно уменьшению длины свободного пробега в направлении внешнего поля между токовыми контактами или увеличению удельного сопротивления полупроводника в магнитном поле. [39]
Как проявляется действие магнитного поля на движение носителей заряда в эффектах Холла, Этингсгаузена, Нернста и магнетосопротивления. [40]
Кинетические явления в общем случае характеризуют движение носителей заряда в полупроводниках, которое обусловлено двумя процессами: диффузией и дрейфом. Диффузионный перенос носителей заряда обусловлен действием градиента концентрации легирующей примеси, дрейфовый - действием градиента потенциала в электрическом поле. [41]
В этом случае происходит диффузия - движение носителей заряда из-за градиента концентрации, выравнивание концентрации носителей по полупроводнику. [42]
 |
Рассеяние электрона и дырки ионом примеси. [43] |
Процесс рассеяния представляет собой искривление траектории движения носителя заряда под влиянием сил, действующих на электрон или дырку со стороны рассеивающего центра. [44]
Электропроводность обратных шпинелей значительна, что обусловлено движением носителей заряда по смежным разно-валентным ионам. [45]
Страницы: 1 2 3 4