Cтраница 4
Это, однако, не означает, что движение носителей заряда в проводнике происходит с этой огромной скоростью, так что электрон или ион, находившийся в нашем примере в первом городе, через 1 / 300 секунды достигнет второго. Движение носителей в проводнике происходит почти всегда очень медленно, со скоростью несколько миллиметров в секунду, а часто и еще меньшей. [46]
Коэффициент пропорциональности и, который выражает зависимость скорости движения носителей зарядов, обусловленной действием сил поля, от рода вещества проводника и внешних условий, называют подвижностью носителей тока. Подвижность измеряется скоростью направленного движения носителей тока в проводнике при напряженности поля, равной единице. Покажите, что единицей измерения подвижности зарядов в системе СИ является 1 м2 / ( В-с) 1 А-сг / кг. [47]
При воздействии электрического поля на полупроводник средняя скорость движения носителей заряда становится отличной от нуля ( и f 0) в направлении, определяемом направлением напряженности электрического поля Е она называется дрейфовой скоростью. Движение носителей заряда под воздействием электрического поля называется дрейфом. [48]
При воздействии электрического поля на полупроводник средняя скорость движения носителей заряда становится не равной нулю ( и Ф 0) в направлении, определяемом направлением напряженности электрического поля Е, она называется дрейфовой скоростью. Движение носителей заряда под воздействием электрического поля называется дрейфом. [49]
Из (2.10) следует, что чем выше скорость движения носителей заряда, больше их эффективная масса и сильнее ослабляется поле в кристалле ( чем выше е), тем слабее носители отклоняются полем заряженной примеси, поэтому требуется большее число столкновений для прекращения движения в первоначальном направлении. С увеличением же заряда рассеивающего иона ( Ze число столкновений v должно, естественно, уменьшаться. [50]
Наличие электрического поля в базе дрейфового транзистора способствует движению носителей заряда в сторону коллектора. Кроме того, в этом случае концентрация примесей в базе у коллектора невелика; следовательно, и контактная разность потенциалов в коллекторном переходе меньше, чем в эмиттерном. [51]
Наличие электрического поля в базе дрейфового транзистора способствует движению носителей заряда в сторону коллектора. Кроме того, в этом случае концентрация примесей в базе у коллектора невелика, следовательно, и контактная разность потенциалов в коллекторном переходе меньше, чем в эмиттерном. [52]
Для более высоких частот используются транзисторы, у которых движение носителей заряда совершается под действием электрического поля. [53]
Это, однако, совсем не означает, что движение носителей заряда в проводнике происходит с этой огромной скоростью, так что электрон или ион, находившийся в нашем примере в первом городе, через 1 / 300 секунды достигнет второго. Движение носителей в проводнике происходит почти всегда очень медленно, со скоростью в несколько мм / сек, а часто и еще меньшей. [54]