Cтраница 2
ПП обусловлен движением носителей заряда двух типов - электронов и дырок, обладающих различной подвижностью. [16]
![]() |
Энергетич. диаграмма для собств. ПП. ЗЯ - зона проводимости. jR3 - валентная зона. ЕВ - нижний край зоны проводимости. Е0 - верхний край валентной зоны. Е - энергия. АЕ - ширина запрещ. зоны. [17] |
ПП обусловлен движением носителей заряда двух типов - электронов и дырок, обладающих различной подвижностью. [18]
![]() |
Зависимость скорости поверхностной рекомбинации от концентрации донорных и акцепторных примесей в объеме ( а и от температуры ( б. [19] |
В общем случае движение носителей заряда в полупроводниках обусловлено двумя процессами: диффузией под действием градиента концентрации и дрейфом под действием градиента потенциала в электрическом поле. [20]
В транзисторе используется движение носителей заряда только одного знака ( основных носителей), которые из истока через канал движутся в сток. Затвор является управляющим электродом. Электрическое поле, возникающее при приложении напряжения между затвором и истоком, изменяет проводимость канала и, следовательно, ток через канал. Это управляющее электрическое поле направлено перпендикулярно движению носителей в канале и может быть названо поперечным. Носители в канале движутся от истока к стоку под действием продольного электрического поля ( направленного вдоль канала), создаваемого напряжением между стоком и истоком. [21]
В общем случае движение носителей заряда в полупроводниках обусловлено двумя физическими процессами: диффузией и дрейфом. [22]
![]() |
Зависимость скорости поверхностной рекомбинации от концентрации донор-ных и акцепторных примесей ( а и от температуры ( б. [23] |
В общем случае движение носителей заряда в полупроводниках обусловлено двумя процессами: диффузией под действием градиента концентрации и дрейфом под действием градиента потенциала в электрическом поле. [24]
Значительным упрощением описания движения носителей заряда является гидродинамическое приближение. [25]
![]() |
Траектории движения носителей.| Направление движения носителей заряда при наличии внешнего электрического поля. [26] |
Подвижности характеризуют скорости движения носителей заряда при наличии внешнего электрического поля. [27]
Теплопроводность, обусловленная движением носителей заряда, называется электронной или дырочной. [28]
Теплопроводность, обусловленную движением носителей заряда, называют электронной или дырочной. Она характеризуется величиной коэффициента теплопроводности ке. [29]
В работе кратко рассматривается движение носителей заряда в магнитном поле, кинетическое уравнение Больцмана и эффект Холла. [30]