Движение - неосновной носитель
Cтраница 1
Движение неосновных носителей пр и рп через переход создает дрейфовый ток ( две его составляющие), направленный противоположно диффузионному току. Дрейфовый ток, называемый тепловым, обусловлен нагреванием кристалла; его называют также обратным током, поскольку он противоположен току диффузии. [1]
По механизму движения неосновных носителей в базе транзисторы разделяют на бездрейфовые и дрейфовые, а по технологии изготовления - на сплавные, диффузионные, диффузионно-сплавные. По относительным размерам р-га-переходов различают плоскостные и точечные транзисторы. Последние обладают менее устойчивыми характеристиками и в настоящее время промышленностью не выпускаются. [2]
 |
Подготовленный к сплавлению элемент герма. [3] |
По механизму движения неосновных носителей в базе транзисторы делятся на бездрейфовые ( диффузионные) и дрейфовые. [4]
 |
Распределение примесей в сплавном тоанзистопе.| Структура сплавного р-п - р транзистора. [5] |
По механизму движения неосновных носителей в базе транзисторы подразделяются на дрейфовые и бездрейфовые. [6]
В рассмотренных транзисторах движение неосновных носителей в базе происходит путем диффузии, так как внешнее напряжение сосредоточено в основном в р-п переходах, а электрическое поле в самой базе практически равно нулю. Такие транзисторы называются бездрейфовыми или диффузионными. Помимо них существуют транзисторы, у которых специальным распределением примесей в базе создается электрическое поле и движение неосновных носителей в базе происходит путем дрейфа. Та - рис. кие транзисторы называются дрейфовыми. [7]
Однако одновременно потенциальный барьер ускоряет движение неосновных носителей: электронов из р - в га-область и дырок из га - в р-область. Это движение, создающее тепловой ток / о, охватывает все неосновные носители, расположенные в-близи перехода и постоянно генерируемые в полупроводнике. [8]
Если в базе имеется поле, ускоряющее движение неосновных носителей тока, то по формуле ( 4 - 25) оно даст заниженные результаты. [9]
Если в базе имеется поле, ускоряющее движение неосновных носителей тока, то по этой формуле будут получены заниженные результаты. [10]
Мы обсудили неко орые детали процесса движения неосновных носителей тока, в примесных полупроводниках, у которых рС / г или и - Ср, поскольку анализ при этих допущениях значительно более прост, чем при условии пър. [11]
Дрейфовый транзистор - транзистор, у которого движение неосновных носителей в области базы носит характер дрейфа под действием электрического поля. [12]
Скорость поверхностной рекомбинации представляет собой среднюю скорость движения неосновных носителей из объема полупроводника к поверхности. [13]
 |
Электрический ток в контакте двух полупроводников. [14] |
Мы видим, что контактное поле способствует движению неосновных носителей, которые скатываются с потенциального уступа. [15]
Страницы: 1 2 3 4