Движение - неосновной носитель
Cтраница 4
В работе [7] при рассмотрении транзистора, работающего в режиме лавинного умножения и при большом коэффициенте умножения, получены следующие выводы: 1) постоянная времени нарастания тока в лавинном транзисторе может быть значительно меньше времени пролета неосновных носителей через базу и существенно зависит от коэффициента умножения; 2) основную роль в перемещении заряда неосновных носителей через базу играет диффузионный механизм движения неосновных носителей. Это является следствием распределения по скоростям носителей, инжектированных в базовую область. При больших значениях коэффициента умножения практически только наиболее быстрые носители определяют процесс развития лавины. [46]
Это так называемые Дрейфовые транзисторы, у которых более высокое значение частоты отсечки достигается созданием электрического поля в базовой области. Это поле ускоряет движение инъектированных неосновных носителей от эмиттера к коллектору. Образуется оно с помощью управляемого распределения примесей в области базы. С другой стороны, эти транзисторы имеют большой недостаток, состоящий в том, что для их нормальной работы напряжение перехода коллектор - эмиттер должно быть не меньше 1 - 3 в. Это обычно увеличивает мощность рассеяния коллектора. [47]
 |
Диаграммы импульсов, поясняющие работу диодного ключа. [48] |
В интервале tz-t 4 через диод протекает ток в обратном направлении. Под действием обратного напряжения происходит движение неосновных носителей ( дырок) обратно из базы в эмиттер. Это и обеспечивает протекание тока через р - n - переход в обратном направлении. [49]
Наряду с основными носителями заряда через эмиттерный и коллекторный переходы движутся и неосновные для каждой из областей транзистора носители. На работу транзистора существенно влияет движение неосновных носителей через коллекторный переход: дырок базы - в коллектор и электронов коллектора - в базу. Оно зависит также от материала полупроводника. [50]
Наряду с основными носителями заряда через эмиттерный и коллекторный переходы движутся и не основные для каждой из областей транзистора носители. На работу транзистора существенно влияет движение неосновных носителей через коллекторный переход: дырок базы - в коллектор и электронов коллектора - в базу. Оно зависит также от материала полупроводника. [51]
Получающееся электрическое поле всегда направлено так, что способствует движению неосновных носителей из области с большой концентрацией примесей в область с малой концентрацией. Следовательно, поле, способствующее движению неосновных носителей от эмиттера к коллектору, создается, если концентрация нескомпенсированных примесей в базе спадает по направлению от эмиттера к коллектору. Однако в этом случае может возникнуть участок, где поле будет препятствовать движению носителей от эмиттера к коллектору ( тормозящее поле), что обычно ухудшает свойства транзистора. [52]
Впрыснутые у эмиттера дырки, двигаясь в базовой области, достигают р-и-перехода у коллектора и модулируют его проводимость. В отличие от плоскостных приборов здесь движение неосновных носителей в базовой области происходит в основном не вследствие диффузии, а под действием электрического поля коллекто ра. [53]
Бездрейфовыми называются транзисторы, в области базы которых в равновесном состоянии отсутствует электрическое поле, так как примеси в базе распределяются равномерно. Для таких транзисторов характерен диффузионный механизм движения неосновных носителей в базе. [54]
Следует учесть, что в области коллектора действует электрическое поле, связанное с прохождением тока основных носителей. Направление этого поля таково, что оно способствует движению неосновных носителей к коллекторному переходу. Таким образом, под влиянием этого поля носители могут попадать в коллекторный переход не только из областей, равных по толщине Ln ( см. § 1.3), но и из более далеких. [55]
При обратном включении преобладающую роль играет дрейфовый ток. Он имеет небольшую величину, так как создается движением неосновных носителей. Это объясняется тем, что в единицу времени количество генерируемых пар электрон-дырка при неизменной температуре остается неизменным. Это определяет выпрямительные свойства / 7-и-перехода: способность пропускать ток только в одном направлении. [56]
При обратном включении преобладающую роль играет дрейфовый ток. Он имеет небольшую величину, так как создается движением неосновных носителей. Этот ток называется обратным и может быть определен по формуле / обр / др - / диф. Это объясняется тем, что в единицу времени количество генерируемых пар электрон - дырка при: неизменной температуре остается неизменным. Это определяет выпрямительные свойства / ьи-перехода: способность пропускать ток только в одном направлении. [57]
Сначала в исходной пластинке полупроводника 2 ( рис.) электрохимическим путем вытравливаются две лунки 1 и 3, затем в этих лунках высаживаются электролитическим способом тонкие слои примесного вещества, и в заключение производится вплавление этих примесей, в результате чего образуются сплавные эмиттерный и коллекторный переходы. Такому транзистору, называемому микросплавным диффузионным, свойствен дрейфовый характер движения неосновных носителей через область базы. [58]
В полупроводнике р или п типа всегда имеется небольшое количество зарядов другого знака, которые слабо влияют на его электрические свойства. В частности, малый обратный ток через переход связан с движением неосновных носителей, для которых высокий потенциальный барьер не представляет никакого сопротивления. [59]
Первое из них - это накопление неосновных носителей в базе диода при его прямом включении и их рассасывание при уменьшении напряжения. Так как электрическое поле в базе диода обычно невелико, то движение неосновных носителей в базе определяется законами диффузии и происходит относительно медленно. Поэтому накопление носителей в базе и их рассасывание могут влиять на свойства диодов в режиме переключения. [60]
Страницы: 1 2 3 4