Движение - неосновной носитель
Cтраница 2
Получающееся электрическое поле всегда направлено так, что способствует движению неосновных носителей из области с большой концентрацией примесей в область с малой концентрацией. Следовательно, поле, способствующее движению неосновных носителей от эмиттера к коллектору, создается, если концентрация нескомпенсированных примесей в базе спадает по направлению от эмиттера к коллектору. Однако в этом случае может возникнуть участок, где поле будет препятствовать движению носителей от эмиттера к коллектору ( тормозящее поле), что обычно ухудшает свойства транзистора. [16]
Смысл этого результата вполне понятен: он означает, что движение неосновных носителей является лимитирующей стадией диффузионного процесса в целом. [17]
 |
Измерение дифференц. прямого сопротивления диода.., - здс на частоте сигнала ш. шЬ Л. 1, шСб. ш /. Д11 Д. 1 / шС Я0. [18] |
Характер изменения сопротивления между эмиттером и базой 1 связан с движением неосновных носителей тока иод влиянием диффузии и олектрич. Такой процесс описывается нелинейными ур-ииямп, точного решения к-рых еще нет. [19]
 |
Измерение дифференц. прямого сопротивления диода. М - эдс на частоте сигнала ш. ш. / Д. l ( oC6. uL. Д Д. 1 / шС Д0. [20] |
Характер изменения сопротивления между эмиттером и базой 1 связан с движением неосновных носителей тока под влиянием диффузии и электрич. Такой процесс описывается нелинейными ур-ниями, точного решения к-рых еще нет. [21]
На рис. 112 изображен канал я-типа на полупроводнике р-типа и направление движения неосновных носителей тока. [22]
Анализ выражений ( 3 - 31) показывает, что диффузионный характер движения неосновных носителей в базовом слое и емкости переходов качественно одинаково влияют на замедление процесса формирования фронтов. [23]
 |
Схема образования потенциального барьера.| Схема условий на переходе р-п при прямом и обратном соединении. [24] |
Через переход проходит в этом случае лишь весьма малый ток, создаваемый движением неосновных носителей. [25]
 |
Распределение концентрации примесей в дрейфовом транзисторе. [26] |
Очевидно, что создав в базе транзистора градиент концентрации примесей и соответственно электрическое поле, ускоряющее движение неосновных носителей к коллектору, можно существенно улучшить частотные свойства транзисторов. Такие транзисторы называются дрейфовыми. [27]
Как уже было сказано в § 5.1, бездрейфовым называется такой полупроводниковый триод, у которого движение неосновных носителей в области базы осуществляется преимущественно за счет диффузии. [28]
При подаче на полупроводниковый диод обратного напряжения через него будет проходить незначительный обратный ток, образованный движением неосновных носителей. [29]
 |
Конструкция точечного транзистора.| Этапы изготовления и жоиструкци выращенного транзистора. [30] |
Страницы: 1 2 3 4