Движение - неосновной носитель
Cтраница 3
У последних р-п переходы, ограничивающие активную область базы, образуются параллельными плоскостями, расположенными перпендикулярно главному направлению движения неосновных носителей от эмиттера к коллектору. [31]
 |
Распределение токов, обусловленных инжек-цией дырок.| Обратное включение р-п перехода. [32] |
При обратном включении преобладающую роль играет дрейфовый ток, который имеет небольшую величину, так как он создается движением неосновных носителей. [33]
 |
Конструкция точечного диода. [34] |
При изменении полярности анодного напряжения ширина р-л-перехода увеличивается и через диод будет протекать незначительный обратный ток, обусловленный движением неосновных носителей. Увеличение обратного напряжения практически не вызывает увеличения обратного тока. Поэтому величину / s называют током насыщения. [35]
 |
Вольт-амперная характеристика р-п-перехода. [36] |
Если приложенное напряжение имеет противоположную полярность, как показано на рис. 119б, электрический ток через р - п-пере-ход обусловлен движением неосновных носителей каждой области: вклад в этот ток дают электроны, пересекающие переход слева направо, и дырки, пересекающие его справа налево. Теперь потенциальный барьер в переходе увеличивается с ростом приложенного напряжения. [37]
При небольшой обратной разности потенциалов диффузионный ток постепенно уменьшается ( в соответствии с распределением носителей заряда по энергиям), а ток, обусловленный движением неосновных носителей, сохраняется. [38]
Следует учесть, что в области коллектора действует электрическое поле, связанное с прохождением тока основных носителей заряда и направленное так, что оно способствует движению неосновных носителей к коллекторному переходу. Под влиянием этого поля неосновные носители заряда могут попадать в коллекторный переход не только из областей, равных по толщине /, , но и из более далеких. [39]
Следует учесть, что в области коллектора действует электрическое поле, связанное с прохождением тока основных носителей заряда и направленное так, что оно способствует движению неосновных носителей к коллекторному переходу. Под влиянием этого поля носители заряда могут попадать в коллекторный переход не только из областей, равных по толщине Ln, но и из более далеких. [40]
Следует учесть, что в области коллектора действует электрическое поле, связанное с прохождением тока основных носителей заряда и направленное так, что оно способствует движению неосновных носителей к коллекторному переходу. Под влиянием этого поля неосновные носители заряда могут попадать в коллекторный переход не только из областей, равных по толщине Ln, но и из более далеких. [41]
V V) ( рис. 93, в), ток основных носителей уменьшается до нуля и ток через р - - переход создается только движением неосновных носителей. Вследствие малой концентрации неосновных носителей и большого сопротивления за-порного слоя обратный ток во много раз меньше, чем прямой. [42]
При запирающем ( обратном) напряжении внешнее электрическое поле препятствует движению основных носителей тока к границе р-л-перехода ( см. рис. 337, я) и способствует движению неосновных носителей тока, концентрация которых в полупроводниках невелика. Это приводит к увеличению толщины контактного слоя, обедненного основными носителями тока. Соответственно увеличивается и сопротивление перехода. Быстрое возрастание этого тока означает пробой контактного слоя и его разрушение. При включении в цепь переменного тока р-л-переходы действуют как выпрямители. [43]
 |
Схема коммутации транзисторного ключа. [44] |
Появление выбросов, показанных на рис. 7 - 8, б, обусловлено в основном двумя факторами: наличием емкостей переходов Сэ и Ск и диффузионным характером движения неосновных носителей в базе. [45]
Страницы: 1 2 3 4