Локальная диффузия
Cтраница 1
Локальная диффузия является одной из основных технологических операций при создании полупроводниковых ИМС. Процесс диффузии определяет концентрационный профиль интегральной структуры и основные параметры компонентов ИМС. [1]
Локальную диффузию проводят в открытые участки кремния по методу открытой трубы в потоке газа-носителя. Температурный интервал диффузии для кремния составляет 50 - 1300 С. Кремниевые пластины размещают в высокотемпературной з бне диффузионной печи. Газ-носитель в кварцевой трубе при своем движении вытесняет воздух. Источники примеси, размещенные в низкотемпературной зоне, при испарении попадают в газ-носитель и в его составе проходят над поверхностью кремния. [2]
Для локальной диффузии на поверхности кремниевой пластины в слое окисла создают маску. [3]
Наиболее вероятна локальная диффузия в системах, включающих в качестве диффундирующих элементов гибкие и легкоподвижные сегменты относительно малополярных полимеров. При адгезии аморфных и частично кристаллических полимеров происходит, очевидно, растворение первых из них в аморфных областях вторых. [4]
Затем методом локальной диффузии создают катодные л - слои и формируется соответствующая геометрия р-базы. Рассматриваемая структура содержит распределенную шунтировку катодного р-л-перехода в основной структуре тиристора. [5]
Однако представления о локальной диффузии, протекающей только на глубину, определяемую размерами сегмента, противоречат этим данным. Казалось бы, что при наличии локальной диффузии, толщина не должна превосходить несколько десятков А. Действительно, в работе [413] было показано, что толщина межфазного слоя в зоне контакта ПС - полибутадиен ( ПБ) составляет всего 30 А, а в зоне контакта ПС-ПММА она равна 50 А, что близко к размеру сегмента. Реальная картина структуры переходного слоя будет рассмотрена ниже. [6]
 |
Конструкция мультискана с разделенным базовым слоем. [7] |
Со стороны лицевой поверхности проводится локальная диффузия бора для создания делительных ( 4, 4 и общего ( 5) слоев. [8]
Резистивный слой р получен в результате локальной диффузии из ограниченного источника. [9]
В местах, где нужно провести локальную диффузию примесей в эпитаксиаль-ный слой кремния, слой SiO2 удаляется с его поверхности методом локального травления. Для вытравливания в оксидном слое ( SiO2) отверстий ( окон) той или иной формы с требуемой точностью используют метод фотолитографии. [10]
В местах, где нужно провести локальную диффузию примесей в эпитаксиаль-ный слой кремния, слой SiO2 удаляется с его поверхности методом локального травления. Для вытравливания в оксидном слое ( S1O2) отверстий ( окон) той или иной формы с требуемой точностью используют метод фотолитографии. [11]
Устройство однопереходного планерного транзистора, выполненного методом локальной диффузии, показано на рис. 15 - 3, а. Базой прибора служит кристалл л-кремния. С помощью кольцеобразных областей л - кремния и металлических невыпрямляющих контактов к этим областям осуществлены два вывода базы. Эмиттером служит кольцеобразная область р-кремния. На границе этой области с базой образуется электронно-дырочный переход. [13]
 |
Диффузионный резистор.| Конденсатор с барьерной емкостью р - я-перехода. [14] |
В полупроводниковых интегральных схемах резисторы изготавливают методом локальной диффузии примеси в островки эпитаксиального слоя кремниевой заготовки. Причем образование резисторов идет одновременно с созданием эмиттерной и базовой областей транзисторов. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5