Локальная диффузия

Cтраница 2

Эти измерения показали, что прочность обусловлена локальной диффузией сегментов. Имеются основания полагать, что ни термодинамические, ни молекулярно-кинетические представления не накладывают принципиальных ограничений на подобный механизм межфазного взаимодействия. [16]

Наиболее распространенным методом получения резисторов является их формирование путем локальной диффузии через маску, ограничивающую тонкую область, составляющую резистор. Причем эта диффузия проводится одновременно либо при формировании базовых областей ( когда требуются высокоомные сопротивления), либо эмиттерных. Чаще используется базовая диффузия, так как при этом удается заметно уменьшить площадь, занимаемую резистором. При эмиттерной диффузии, хотя и увеличиваются размеры резистора, температурный коэффициент сопротивления ( ТКС) резистора получается меньшего значения. [17]

Наиболее жесткие требования предъявляются к пассивной пленке при локальной диффузии примесей, когда пленка выполняет роль защитной маски. В условиях длительного высокотемпературного нагрева толщина пленки должна быть достаточно большой, чтобы предотвратить проникновение легирующей примеси к поверхности кремния. Для пленки SiO2, например, при диффузии бора достаточна толщина 0 4 мкм, при диффузии фосфора - 1 мкм. При повышенном содержании в пленке пор диффузия атомов примеси облегчается, поэтому толщина пленки должна быть увеличена. [18]

Варианты использования биполярного транзистора в качестве диода. [19]

В полупроводниковых интегральных схемах резИ сторы изготавливают методом локальной диффузии примеси в осгровки эпитаксиального слоя кремниевой заготовки. [20]

У диффузионных диодов электрический переход изготавливается методом общей или локальной диффузии донор-ных и акцепторных примесей в кристалл полупроводника. Диффузию можно проводить однократно и многократно. Например, структура электрического перехода кремниевого диода ( рис. 3.1, г) р - р - / г-л - типа изготавливается методом общей многократной диффузии. Область р-типа формируется диффузией акцепторной примеси-алюминия в кремниевую пластину л-типа, а область л - типа - диффузией в эту же пластину фосфора - донорной примеси. Для образования р - области проводится вторая диффузия бора в р-область. Омические контакты с р - и п - областью структуры изготавливают химическим осаждением никеля и последующим гальваническим золочением. [22]

Изменение статических характеристик передачи и порогового напряжения t / 3Hn0p МДП-транзистора с изменением температуры.| Выходные статические характеристики ( а и статические характеристики передачи ( б МДП-транзистора со встроенным р-каналом. [23]

Проводящий канал под затвором МДП-транзистора может быть создан в результате локальной диффузии или ионной имплантации соответствующих примесей в приповерхностный слой подложки. Он может возникнуть из-за перераспределения примесей вблизи поверхности полупроводниковой подложки в процессе термического окисления ее поверхности. Наконец, проводящий канал может появиться под затвором из-за фиксированного заряда в подзатворном слое диоксида кремния, на поверхностных энергетических уровнях, а также из-за контактной разности потенциалов между металлом затвора и полупроводником подложки. [24]

Образование переходного слоя может рассматриваться как возникновение третьей фазы в смеси вследствие локальной диффузии на границе раздела и других причин. Действительно, наличие такого слоя обнаружено методами ДТА [414] и радиотермолюми-несценции [415] для смесей эластомеров. Исследование смеси полиэтилена низкого давления с сополимером формальдегид - диоксолан в широком диапазоне составов показало, что при малых добавках сополимера ( до 2 %) максимум свечения, отвечающий температуре стеклования ПЭ, смещается в сторону более низких температур, а в области 5 - 40 % сополимера положение максимума остается постоянным. При малых добавках ПЭ к сополимеру ( до 1 %) также наблюдается сдвиг максимума, характерного для сополимера. Добавки 10 % сополимера к ПЭ и 5 % ПЭ к сополимеру приводят к появлению в системе новых максимумов. Полученные данные указывают на то, что при смешении кристаллических полимеров происходят структурные изменения в межфазных областях, обусловленные взаимодействием компонентов в пределах аморфных областей. При малых-добавках наблюдается один смещенный пик свечения. При повышении содержания второго компонента образуются две аморфные фазы, что приводит к появлению двух смещенных температур стеклования. [25]

При нланарной технологии для создания p - n - переходов используются процессы локальной диффузии примесей, производящиеся в плоскую ( планарную) кристаллическую подложку, осуществляемые с помощью оксидных масок и методов фотолитографии через фотошаблоны. Планарная технология позволяет изготовлять транзисторы групповым методом ( 300 - 400 шт. [26]

Эпитаксиальные ( пленарные, эпитаксиально-планар-ные) диоды изготавливаются с использованием процесса эпитаксии и локальной диффузии. [27]

Для объяснения прочной адгезионной связи между несовместимыми полимерами была высказана [40-43] гипотеза о локальной диффузии, основанная на представлении о микронеоднородности большинства полярных и слабо полярных полимеров. Предполагается, что в полимерном материале, содержащем полярные и неполярные группы, соединенные в гибкие цепи, всегда будет происходить микрорасслаивание с образованием множества более или менее отделенных друг от друга областей. Именно такая неоднородность и обеспечивает, согласно [40-44], возможность локальной диффузии при контакте с неполярными полимерами. [28]

Способ фотолитографии. [29]

Эта пленка ( временно) служит защитным покрытием отдельных участков кристалла при проведении локальной диффузии примесей, такая же пленка предохраняет готовую схему от внешних воздействий и служит основанием для пленочных пассивных элементов и внутрисхемных соединений. Кроме того, кремний по сравнению с германием имеет меньшие обратные токи р-п переходов. [30]

Страницы: 1 2 3 4 5