Локальная диффузия
Cтраница 4
 |
Способ фотолитографии. [46] |
При изготовлении полупроводниковых ИМС применяется эпи-таксиально-планарная технология, основными процессами которой являются: эпитаксия-наращивание тонких слоев кремния с про-водимостями различного типа ( в данном случае наращивается слой с проводимостью, противоположной проводимости исходного кристалла), маскирование и фотолитография ( получение различных рельефов с помощью масок), локальная диффузия донорных и акцепторных примесей ( получение слоев п - и р-типов), напыление металлической пленки для создания электрических соединений. [47]
При изготовлении полупроводниковых ИМС применяется эпи-таксиально-планарная технология, основными процессами которой являются: эпитаксия - наращивание тонких слоев кремния с про-водимостями различного типа ( в данном случае наращивается слой с проводимостью, противоположной проводимости исходного кристалла), маскирование и фотолитография ( получение различных рельефов с помощью масок), локальная диффузия донорных и акцепторных примесей ( получение слоев п - и р-типов), напыление металлической пленки для создания электрических соединений. [48]
В качестве фотоприемников для обнаружения и регистрации малых световых сигналов применяются фотогальванические элементы на основе монокристаллических лолупроводников германия и кремния, а также полупроводниковых соединений: антимонида индия ( InSb), арсенида индия ( InAs) и др. Электрические переходы в таких приборах получают путем сплавления ( например, индия и га-германия) или методом локальной диффузии примесей. [49]
У / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / Х п - типа вначале создаются слои дыроч - х - / х / ххх хх ххх / 1 ной проводимости ( при направленном легировании бором или галлием), а затем в одном из этих слоев обеспечивается локальная диффузия фосфора. [50]
Технологические процессы, в результате которых создаются локальные области в полупроводниковом материале и формируются переходы структуры и элементы схемы, являются основными. К ним относятся локальная диффузия легирующих примесей в кремний и эпитаксиальное наращивание монокристаллических слоев кремния требуемого типа, проводимости на кремниевую подложку, имеющую противоположный тип проводимости. [51]
Транзистор, изображенный на рис. 12 - 1, б, изготовлен по пла-нарной технологии, на звание которой ( от англ, planar) обусловлено расположением электродов прибора и их выводов в одной плоскости - на поверхности кристалла. В этой области также методом локальной диффузии образована эмиттерная область ( ге - Si) с высокой концентрацией донорной примеси. [52]
Транзисторы этого каскада сформированы методами локальной диффузии, а в качестве диода использован переход эмиттер - база транзисторной структуры, у которой коллектор и база закорочены. Конденсаторы и резисторы сформированы методами пленочной технологии. [54]
Однако представления о локальной диффузии, протекающей только на глубину, определяемую размерами сегмента, противоречат этим данным. Казалось бы, что при наличии локальной диффузии, толщина не должна превосходить несколько десятков А. Действительно, в работе [413] было показано, что толщина межфазного слоя в зоне контакта ПС - полибутадиен ( ПБ) составляет всего 30 А, а в зоне контакта ПС-ПММА она равна 50 А, что близко к размеру сегмента. Реальная картина структуры переходного слоя будет рассмотрена ниже. [55]
Преимущественное использование кремния в полупроводниковых ИМС по сравнению с германием обусловлено возможностью расширения интервала рабочих температур ( до 125 С) и получения на поверхности кремниевой пластины стойкой изолирующей пленки двуокиси кремния SiOj. Эта пленка ( временно) служит защитным покрытием отдельных участков кристалла при проведении локальной диффузии примесей, такая же пленка предохраняет готовую схему от внешних воздействий и служит основанием для пленочных пассивных элементов и внутрисхемных соединений. Кроме того, кремний по сравнению с германием имеет меньшие обратные токи р-п переходов. [56]
 |
Изоляция элементом ИМС диэлектрическим слоем ( а, б, в, г, изоляция элементов ИМС р-п переходом ( д, вид сверху пос -. ле удаления оксидной пленки ( е. [57] |
В полученных тем или другим способом изолированных участках кремния я-типа создаются активные и пассивные элементы полупроводниковых ИМС. Эти элементы изготовляются в едином технологическом процессе с помощью последовательных операций фотолитографии и локальной диффузии соответствующих примесей. [58]
 |
Изоляция элементом ИМС диэлектрическим слоем ( а, б, в, г, изоляция элементов ИМС р - n переходом ( д, вид сверху после удаления оксидной пленки ( е. [59] |
В полученных тем или другим способом изолированных участках кремния л-типа создаются активные и пассивные элементы полупроводниковых ИМС. Эти элементы изготовляются в едином технологическом процессе с помощью последовательных операций фотолитографии и локальной диффузии соответствующих примесей. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5