Локальная диффузия

Cтраница 3

Последовательность основных технологических этапов формирования островков монокристаллического кремния на поликристаллической подложке кремния методом диэлектрической изоляции. [31]

Для улучшения некоторых параметров и характеристик транзисторов перед выращиванием эпитаксиального слоя может быть проведена дополнительная локальная диффузия донорной примеси методом планар-ной технологии с целью создания скрытых легированных слоев ( га - слоев) В результате под коллектором будуще - а) го транзистора появляется хорошо проводящая область, что и приводит к улучшению характеристик транзисторов. [32]

Структура полупроводниковых микросхем. [33]

В микросхемах планарно-диффузионного типа элементы представляют собой области с различным типом проводимости, созданные локальной диффузией легирующих примесей внутри монокристаллической подложки из кремния. Эти элементы изолироваям друг от друга либо обратно смещенным / - - переходом, либо с помощью высокоом ной подложки. [34]

Она защищает кристалл и сформированные в нем миниобласти с заданным типом электропроводности от загрязнений, из нее формируется маска для локальной диффузии примесей, она может выполнять роль диэлектрика в схеме. [35]

Последнее качество может быть полностью реализовано лишь при высоком качестве проведения сопутствующих планарной технологии процессов фотолитографии, окисления поверхности, локальной диффузии примесей, напыления пленок. [36]

Планарная технология - совокупность базовых технологических операций, которые позволяют получать плоские планарные структуры в полупроводниковом материале ( пластине) методом локальной диффузии или эпитаксии через защитный маскирующий слой, полученный фотолитографией. [37]

Последовательность основных технологических операций, используемых в изопланарной технологии, и структуру изопланарного транзистора поясняет рис. 3.5. В высокоомной подложке р - - типа локальной диффузией доноров формируют скрытый л - слой. Затем на всей поверхности пластины наращивают тонкий ( W. На полученную поверхность наносят слой нитрида кремния, из которого с помощью литографии формируют защитную мяску. Не закрытые маской области эпитакси-ального слоя подвергают травлению на глубину приблизительно 0 5 Wan. Локальным ионным легированием бором через маску создают противоканальные области р - типа, расположенные под вытравленными участками в подложке между скрытыми слоями п - типа сосед. [38]

Хотя указанная особенность непосредственно соответствует термину планарный, обычно планарную технологию понимают более узко, как технологический цикл создания кремниевых приборов и интегральных схем методами локальной диффузии с использованием оксидных масок. [39]

Этапы изготовления диффузионно-сплавного транзистора. [40]

Хотя указанная особенность непосредственно соответствует термину пленарный, обычно планарную технологию понимают более узко как технологический цикл создания кремниевых приборов и инте - ральных схем методами локальной диффузии и эпитаксии с исполь-юванием оксидных масок. [41]

При изготовлении германиевых и кремниевых пленарных приборов на поверхности полупроводниковых пластин одновременно с диффузией создают пленку двуокиси кремния, служащую для маскировки отдельных участков кристалла при проведении локальной диффузии, пассивировании и стабилизации поверхности полупроводника, а также изоляции активных и получения пассивных компонентов приборов и микросхем. Высокая температура нанесения пленки двуокиси кремния отрицательно сказывается на электрофизических свойствах полупроводников, способствуя миграции легирующих примесей. [42]

Термическое выращивание на поверхности подложки диэлектрического слоя двуокиси кремния Si02 обеспечивает электрическую изоляцию и защиту сверхчистого материала подложки от проникновения туда вредных примесей и атомов легирующего вещества в процессе локальной диффузии. [43]

Основные этапы фотолитографии по кремнию.| Этапы изготовления фотошаблона под окна для омических контактов ( 4 - 53, в. Масштабы не выдержаны. [44]

Поэтому, когда на следующем этапе пластину подвергают травлению, растворяются лишь обнаженные участки двуокиси кремния, вплоть до поверхности самой пластины, вследствие чего в оксидной маске получается необходимая совокупность окон, через которые в дальнейшем проводят локальную диффузию. [45]

Страницы: 1 2 3 4 5