Упругий двойник

Cтраница 1

Упругий двойник получали, надавливая стальным шариком диаметром 4 мм на консольно зажатый образец кальцита в виде прямоугольной призмы с поперечным сечением, совмещенным с плоскостью К и боковыми гранями, параллельными и перпендикулярными направлению rji. Процесс образования и исчезновения упругих двойников при перекатывании шарика по поверхности образца вдоль его оси кинематографировали с частотой 100 000 кадров в секунду. [1]

Двойник внутри кристалла. [2]

Рассмотрим упругий двойник, бесконечно протяженный и однородный вдоль оси z и находящийся в плоском поле напряжений о ( х, у), другими словами, рассмотрим плоскую задачу теории упругости. [3]

После образования упругого двойника или стабильной двойниковой прослойки достаточно приложить напряжение на сдвиг 0 3 - 0 4 МПа, равномерно распределенное по штоскости двойникования К в направлении 4j, чтобы процесс двойникования протекал при комнатной температуре. [4]

Распределение дислокаций вдоль упругого двойника не может быть произвольным, а определяется условием равновесия кристалла с двойником под действием внешних нагрузок. Подобное условие сводится к равенству нулю всех сил различного происхождения, действующих на каждую двойникующую дислокацию. [5]

Удобным способом получения упругих двойников в кальците является наг-ружение поверхности кристалла стеклянной линзой [36], Наблюдение деформации возникающей при этом интерференционной картины ( колец Ньютона) позволяет четко зафиксировать появление упругих двойников. [6]

Однако при изучении упругих двойников наиболее интересен случай знакопостоянного распределения напряжений такт как возможность равновесия двойника в таких условиях имеет принципиальное значение. [7]

Изучение интерференционной окраски упругого двойника в процессе его роста под распределенной нагрузкой показало, что по мере удлинения двойника в районе основания двойника, примыкающего к поверхности, появляется новый интерференционный максимум, т.е. возникает не менее 102 дислокаций в районе, где макроскопические упругие напряжения, создаваемые распределенной нагрузкой, на порядки величины меньше теоретической прочности кристалла. Это полностью исключает гомогенный механизм зарождения двойникующих дислокаций при упругом двойниковании. Можно предположить, что механизм, предложенный ( см. ниже) для утолщения остаточного двойника ( возникновение дислокаций вблизи микроскопического излома поверхности в районе выхода на нее двойниковой границы), работает и в случае роста упругого двойника. [8]

Процесс установления термодинамически равновесной длины упругого двойника может рассматриваться как процесс последействия на уровне отдельного скопления дислокаций. [9]

Сопоставление экспериментальных данных об изменении формы упругого двойника в процессе его роста под сосредоточенной нагрузкой с соотношением ( 4 48. [10]

В прозрачных кристаллах кальцита на упругом двойнике наблюдается интерференционная окраска, как на тонком клине. Распределение интерференционных максимумов дает информацию об изменении толщины двойника вдоль его длины. [11]

Рассмотрим в качестве примера либо выход упругого двойника на по. [12]

Напряжения а1 в области, где возникает упругий двойник, могут быть определены с помощью соображений, высказанных в гл. [13]

Переходя к рассмотрению оц - напряжений превращения упругого двойника в остаточный, отметим, что поскольку упругий двойник может существовать лишь в неоднородном внешнем поле, то, естественно, процесс, как это отмечалось в [38], не может характеризоваться каким-либо фиксированным значением внешнего напряжения. [14]

Для того чтобы убедиться в двойниковом строении упругого двойника, достаточно было сопоставить углы поворота рисок в местах их пересечения со следом упругого двойника на поверхности кристалла, находящегося под нагрузкой, с углами поворота рисок в местах их пересечения со следами обычных, неупругих двойникованных прослоек, а также сравнить положения главных осей в поляризованном свете. Отсюда следовало, что опыты с упругими двойниками кальцита указали путь согласования значений теоретически вычисленной и практически измеренной прочности кристаллов. Обычно для определения напряжения течения и даже прочности делят приложенное усилие на площадь соответствующего сечения образца, получая при этом низкие значения соответствующих величин. Правильно было бы определять истинные напряжения в тех местах, где действуют сосредоточенные силы, и эти напряжения сопоставлять с теоретически вычисленными критическими напряжениями. [15]

Страницы: 1 2 3 4