Упругий двойник

Cтраница 3

Формулы (3.28) и (3.29) в явном виде подтверждают сделанные выше выводы о том, что длина упругого двойника в кристалле велика в меру малости сил неупругого происхождения. [31]

Гистограммы р ( х) на этапах нагрузки и разгрузки приведены на рис. 4.9. Зависимость толщины упругого двойника от координаты, полученная путем численного интегрирования согласно (3.1) на нагрузке и разгрузке, показывает - jmc, 4.10), что упругий двойник на этапах нагрузки и разгрузки имеет различную форму. [32]

Таким образом, примененная здесь методика позволила надежно установить однозначную связь между выходом двойникующих дислокаций, образующих упругий двойник при его исчезновении под действием сил поверхностного натяжения, и появлением звукового сигнала, поскольку упругое двойникование в кальците не сопровождается ни скольжением, ни разрушением кристалла. [33]

Если нагрузка фиксирована и после установления механически равновесной длины двойника разгрузить кристалл, то АЭ, сопровождающая выход упругого двойника из кристалла под действием сил поверхностного натяжения ( выражение для АЭ на второй стадии двойникования), может быть получена с помощью соответствующих выражений, приведенных в гл. [34]

Временные зависимости расстояния от двойника до по -. верхности d - L к синхронно регист.| Осциллограмма сигнала A3, сопровождающего подход двойника из глубины кристалла к поверхнрсти с последующим выходом на нее ( цена маленького деления шкалы по оси абсцисс 1 6 мкс 632 702. [35]

Переходное излучение ПАВ, теоретически предсказанное в [399, 400], было экспериментально обнаружено в работе [411] в случае выхода упругого двойника на поверхность кристаллов кальцита. [36]

Схема эксперимента показана на рис. 8.1. Кристалл кальцита / вырезался таким образом, чтобы в нем можно было создать упругий двойник 2, состоящий из прямолинейных отрезков винтовых двойникующих дислокаций. [37]

Схема эксперимента представлена на рис. 8.13. На рис. 8.14 представлены импульсы АЭ, регистрируемые при выходе скопления дислокаций ( упругого двойника) на поверхность, на которой расположены датчики 1 - 4, В случае выхода двойника на боковую поверхность пьезодатчик 5, расположенный на верхней поверхности кристалла, регистрирует импульс, характерный для объемных звуковых волн. [38]

Для того чтобы убедиться в двойниковом строении упругого двойника, достаточно было сопоставить углы поворота рисок в местах их пересечения со следом упругого двойника на поверхности кристалла, находящегося под нагрузкой, с углами поворота рисок в местах их пересечения со следами обычных, неупругих двойникованных прослоек, а также сравнить положения главных осей в поляризованном свете. Отсюда следовало, что опыты с упругими двойниками кальцита указали путь согласования значений теоретически вычисленной и практически измеренной прочности кристаллов. Обычно для определения напряжения течения и даже прочности делят приложенное усилие на площадь соответствующего сечения образца, получая при этом низкие значения соответствующих величин. Правильно было бы определять истинные напряжения в тех местах, где действуют сосредоточенные силы, и эти напряжения сопоставлять с теоретически вычисленными критическими напряжениями. [39]

Оценки, аналогичные сделанным выше, показывают, что основной вклад в р некогерентной границы остаточного двойника дают, как и в случае упругого двойника, силы упругого происхождения. [40]

Обработка экспериментальных данных для участка небольших длин двойников ( L 0 45 см) показывает ( рис. 4.23), что дислокационное описание динамики выхода упругого двойника из кристалла в диапазоне больших скоростей движения хорошо описывает этот процесс. Следует иметь в виду, что соотношение (3.73) получено для двойника в неограниченном кристалле; эти результаты без изменения могут быть также перенесены на двойник вблизи поверхности, образованный винтовыми дислокациями. [41]

Петли гистерезиса при кручении образца кристалла KFe ( MoO4, [ 371J. а - с поперечными доменными границами, б - с продольными доменными границами. [42]

Отчетливые скачки с большой амплитудой изменения М имеют место лишь в высококачественных кристаллах при полном отсутствии в образце зародышей доменов в виде неисчезающих при разгрузке клиновидных упругих двойников. Наличие в кристалле таких двойников приводит к сглаживанию ( или даже полному исчезновению скачков), так как новые домены образуются за счет постепенного роста таких двойников. Зарождение и развитие доменов типа упругих двойников связано с постепенным увеличением сверхупругой деформации на этапе увеличения их длины, что приводит к сглаживанию скачков релаксации на кривых кручениях. Остающиеся небольшие скачки отвечают резкому утолщению доменов, проросших на всю длину образца. [43]

Отметим, что максимальную АЭ в виде интенсивных импульсов следует ожидать при образовании двойников под сосредоточенной нагрузкой, их выходе из кристалла при разгрузке или при превращении упругих двойников в остаточные, т.е. на первых трех начальных стадиях двойникования, тогда как АЭ на четвертой стадии, дающей основной вклад в пластическую деформацию двойникованием, характеризуется сигналами существенно меньшей амплитуды. АЭ при двойниковании велика, поскольку рост двойника, согласно динамической теории, сопровождается непрерывным возникновением новых дислокаций, со сравнительно большой скоростью входящих в кристалл. [44]

Сопоставление экспериментальных данных о росте двойника под сосредоточенной нагрузкой с соотношением в широком диапазоне температур. 1 - 293 К, 2 - 373 К, 3 - 523 К, 4 - 723 К.| Сопоставление экспериментальных данных с зависимостью. 7 - 7 - номера двойников. [45]

Страницы: 1 2 3 4