Cтраница 1
Действие кристаллического поля на колебательный спектр кристаллов легко можно объяснить, по крайней мере качественно, если учесть, что на колебания молекул в кристалле оказывает возмущающее воздействие окружение. Это воздействие и само окружение обладают определенной симметрией, которая может быть ниже симметрии свободной молекулы. Тогда колебания следует классифицировать по неприводимым представлениям группы позиционной симметрии. [1]
![]() |
Псевдопотенциалы в одноатомном одномерном кристалле. а - истиный. б t - модельный. [2] |
Он описывает действие кристаллического поля на валентные электроны и является слабым. [3]
Иногда утверждается, что действие кристаллического поля мало, так как 4 / - электроны ионов редкоземельных элементов экранируются 5s - и 5 / 7-электронами внешних заполненных оболочек, но существуют некоторые сомнения относительно реальности этого эффекта экранирования. [4]
В случае сильного поля действие кристаллического поля разрывает ( L-S) - связь и место квантовых чисел L и S занимают заселенности орбиталей t2g и ее. [5]
Наиболее важным вопросом при изучении действия кристаллического поля на ион является вопрос об относительных величинах потенциала этого поля и интервалов между уровнями энергии свободного иона. [6]
Рассмотрим теперь ион, подверженный действию кристаллического поля. В рамках приближения, учитывающего только матричные элементы между состояниями с данным /, расчет магнитного сверхтонкого взаимодействия очень прост, поскольку, как и для расчета зеемановского взаимодействия, здесь требуются только матричные элементы оператора J. Существует, следовательно, линейное соотношение между сверхтонким и зеемановским взаимодействиями. Для некоторого подпространства ( 2 / 1) состояний, которое может быть представлено фиктивным спином S и для которого зеемановское взаимодействие принимает форму pH g S, сверхтонкое взаимодействие будет иметь вид S-A-I, где А - тензор, который, очевидно, имеет те же самые главные оси, что и g - тензор. [7]
Энергия СОВ не изменяется под действием кристаллического поля, так как средняя напряженность внутреннего магнитного поля не изменяется. [8]
![]() |
Типы гибридизации и соответствующие им геометрические формы комплексов. [9] |
В применении к комплексным соединениям эта теория рассматривает действие кристаллического поля ( поля лигандов) на J-орбитали иона-комплексообразователя. [10]
![]() |
Типы гибридизации и соответствующие им геометрические формы комплексов. [11] |
В применении к комплексным соединениям эта теория рассматривает действие кристаллического поля ( поля лигандов) на J-орбитали иона-комплексообразователя. Форма и пространственное расположение всех пяти ( / - орбиталей представлены на рис. 1.7 ( см. разд. [12]
Дублеты, возникающие у ионов с нечетным числом электронов за счет действия кристаллического поля, обычно называются крамерсовскими дублетами. [13]
В табл. 13.8 указаны типы симметрии компонент, на которые расщепляются под действием октаэдрического кристаллического поля все термы, вплоть до 13-кратного вырожденного. Волновые функции и энергии компонент для каждого из этих термов можно найти по методу, описанному ранее для компонент терма 3F ( d2), однако полученные результаты имеют смысл лишь в том случае, если Л мало. [14]
Не вызывает сомнений тот факт, что во многих случаях момент ионов РЗЭ заморожен в результате действия кристаллического поля. Однако часто вопрос о том, до какой степени он заморожен, неясен. Полученные из опыта уменьшенные значения моментов иногда связывали с довольно сложной спиновой структурой, иногда - с отрицательной поляризацией электронов проводимости. Следовательно, величина эффекта, который обусловлен электростатическим кристаллическим полем, не определена, и подгонка к экспериментальным данным может оказаться неудовлетворительной. [15]