Действие - транзистор
Cтраница 1
Действие транзистора аналогично 72 действию электронного усилителя. Приращение сеточного напряжения в электронной лампе вызывает изменение электронного потока, усиление анодного тока и - увеличение напряжения на нагрузке. В транзисторе приращение напряжения между эмиттером и базой вызывает изменение количества эмиттированных дырок, усиление тока в цепи коллектора и увеличение напряжения на нагрузке. Кроме рассмотренной схемы ( рис. 4 - 40, б), применяются и другие схемы включения транзисторов. [1]
Действие транзисторов до сих пор еще полностью не объяснено, однако в ряде случаев их применение более эффективно, чем применение электронных ламп. [2]
Действие транзисторов Т3 и Т4 замедлено благодаря сопротивлениям R3 и Л4, а также сопротивлениям JR5 и Лв, если они велики. [3]
 |
Схема подключения источников напряжения к транзистору. [4] |
Принцип действия транзистора состоит в управлении током одного из переходов с помощью тока другого перехода. [5]
Принцип действия транзистора заключается в том, что при изменении потенциала затвора меняется толщина р-я-перехо-ходов, а следовательно, и токопроводящее сечение канала. В результате меняется сопротивление между стоком и источником и соответственно ток в цепи стока. При увеличении отрицательного потенциала на затворе толщина р - n - перехода увеличивается, что приводит к уменьшению токопроводящего сечения канала. Уменьшение отрицательного потенциала на затворе вызывает уменьшение толщины р - n - перехода и увеличение сечения канала. Его сопротивление уменьшается, а ток стока увеличивается. [6]
Принцип действия транзисторов помогают уяснить зонные или энергетические диаграммы, позволяющие представить энергетические состояния р-п - р структуры при различных режимах работы прибора. На рис. 4.3, а представлена энергетическая диаграмма транзистора, находящегося в равновесном состоянии. Такой режим имеет место либо при замкнутых, как показано на рис. 4.3, б, либо при разомкнутых электродах. Уровень Ферми в этом случае занимает одинаковое положение для всех трех областей транзистора. Аналогично сопротивление слоя р2 меньше сопротивления слоя пь Отметим, что лишь первые транзисторы, изготовленные методом сплавления, имели коллекторный слой низкоомным, что приводило к сильной зависимости ширины базы, а следовательно, и эффективности транзистора от коллекторного напряжения. Этот эффект будет рассмотрен ниже. Из диаграммы видно, что электроны базы и дырки эмиттера и коллектора находятся в потенциальных ямах. Для перехода в смежный слой им нужно сообщить очень большую энергию, равную высоте потенциального барьера, что можно реализовать лишь при очень высоких температурах. При рабочих температурах потенциальный барьер преодолевает лишь небольшая часть неосновных носителей, которые образуют диффузионные составляющие электронного тока эмиттера / мэдифи коллектора / пкдиф и диффузионные составляющие дырочного тока эмиттера / рэдиф и коллектора / ркдаФ - Для дырок базы и электронов эмиттера и коллектора имеет место другая картина. Они находятся на потенциальных холмах и легко переходят в соседнюю область. [7]
 |
Структуры разных типов биполярного транзистора.| Устройство несимметричного ( а и симметричного ( б биполярного транзистора. [8] |
Принцип действия транзисторов обоих типов одинаков. [9]
Принцип действия транзисторов основан на протекании прямого тока, состоящего из неосновных носителей, проходящих через базу транзистора и проникающих из эмиттера в базу. [10]
Принцип действия транзисторов обоих типов одинаков. В соответствии с этим в транзисторе типа р-п - р коллекторный ток создается движением дырок, а в транзисторе типа п-р - п - движением электронов. [11]
Механизм действия транзистора с р-га-переходами по сравнению с механизмом работы точечно-контактного транзистора оказывается относительно несложным. Геометрия его более проста, и здесь нет осложняющих факторов, связанных с природой точечных контактов. Контакты проводника с областями эмиттера и коллектора представляют собой омические контакты большой площади. На работу транзистора они не оказывают существенного влияния. Контакт на узкой площади базы также является омическим. [12]
 |
Распределение концентрации носителей в бездрейфовом ( а и дрейфовом ( б транзисторах и распределение токов в электродах транзисто - Ра ( в. [13] |
Принцип действия транзисторов типа п - р - п не отличается от рассмотренного выше, только в область базы вводятся из эмиттера не дырки, а электроны. Для таких транзисторов полярность напряжений t / эв и ( / КБ должна быть противоположна той, которая показана на рис. 6.3. Направление токов также должно измениться на противоположное, так как они обусловлены в данном случае не дырочной, а электронной проводимостью. [14]
 |
Транзисторы типов р-п - р ( а и п-р - п ( 6. [15] |
Страницы: 1 2 3 4 5