Действие - транзистор
Cтраница 4
По форме верхней части импульсов можно понять, что заваленный передний фронт обусловлен действием интегрирующего транзистора. Напряжение на осциллограмме рис. 7.3 не откалибровано. Откалибро-ванное напряжение появляется на эмиттере биполярного транзистора ( рис. 7.4) и имеет амплитудное значение 8 В. Изменение амплитуды происходит не в результате увеличения сигнала на выходе операционного делителя ( рис. 7.3), а под действием напряжения питания. [46]
С параметром т связаны процессы накопления и рекомбинации заряда в базе, определяющие механизм действия транзистора. В процессе работы транзистора под действием тока в базе накапливается заряд. Если базовый ток прекращается, то заряд, накопленный в базе, будет убывать благодаря рекомбинации зарядов по экспоненциальному закону. Время, в течение которого число неосновных носителей в базе уменьшается в е раз ( где е - основание натурального логарифма), обозначается постоянной времени тр. [47]
Смещение выходных статических характеристик вверх в выбранной системе координат при увеличении тока эмиттера соответствует принципу действия транзистора. [48]
 |
Полевой транзистор. а - схема включения. б, в, г, ., е - размещение зарядов при разных напряжениях.| Выходные характеристики полевого транзистора. [49] |
Изменение проводимости этого полупроводника ( канала) под действием напряжения, приложенного к затвору, лежит в основе действия транзистора этого типа. [50]
Принцип действия транзисторов обоих типов одинаков. [51]
Гораздо большее влияние на работу транзистора оказывает Скз, так как гк велико и эффект шунтирования более заметен. Принцип действия транзистора основан на модуляции инжектированными носителями сопротивления коллектора. На высоких частотах Скз шунтирует гк и поэтому глубина модуляции гк уменьшается, а следовательно, уменьшается и h21B транзистора. [52]
Транзистор типа п-р - п имеет эмиттер и коллектор электронной электропроводности, базу - дырочной электропроводности. Принцип действия транзистора аналогичен рассмотренному ранее. [53]
 |
Транзистор типа п-р - п. [54] |
Как видно из рисунка, в транзисторе есть два электронно-дырочных перехода - эмиттерный и коллекторный, разделенные тонкой базой. Принцип действия транзистора основан на использовании свойств р - / г-перехода. [55]
К полупроводниковым областям созданы омические контакты и внешние выводы. Принцип действия транзисторов типа п-р - п и р-п - р одинаков. Для определенности в этой главе рассматривают только транзисторы типа п-р - п; для транзисторов типа р-п - р полярность рабочих напряжений и направления токов противоположны. Далее в этой главе биполярный транзистор будем называть просто транзистором. [56]
 |
Схема линеаризации пилообразного напряжения с дополнительным транзистором и его выходлые характеристики. [57] |
По мере заряда конденсатора напряжение на коллекторе снижается ( линия А Б), но ток iK ic изменяется мало. В точке Б линеаризирующее действие транзистора заканчивается, так как характеристики 1к1 ( ик) начинают быстро падать. [58]
Вследствие того, что они достигают n - р перехода, к которому приложено смещение в обратном направлении, возникает усиление по напряжению. В этом и состоит принцип действия транзисторов как усилителей. [59]
Полевой транзистор относится к группе так называемых униполярных транзисторов. Название это показывает, чтс в принципе действия транзисторов этого типа лежит использование носителей заряда только одного знака: электронов или дырок. Это связано с тем, что в таких транзисторах не используется явление инжекции, как это имеет место в обычных, иначе говоря, биполярных транзисторах. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5