Действие - транзистор - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 3
Хорошо не просто там, где нас нет, а где нас никогда и не было! Законы Мерфи (еще...)

Действие - транзистор

Cтраница 3


31 Схемы включения транзистора. [31]

Из рассмотрения принципа действия транзистора видно, что Змиттер выполняет функции катогш электронной лампы.  [32]

33 Зонная схема фосфора. [33]

На этом основан принцип действия транзистора, который в настоящее время во многих областях применения с успехом вытесняет вакуумные усилительные лампы.  [34]

В данной главе рассматривается принцип действия транзистора сточки зрения его применения для усиления электрических колебаний. Сравниваются три схемы включения транзистора. С помощью физической эквивалентной схемы изучается поведение усилителя на транзисторе в области высоких частот. Многие вопросы построения усилительных схем, затрагиваемые в этой главе, являются общими для различного рода усилителей.  [35]

36 Конструктивно-технологические разновидности транзисторов. [36]

Узловым вопросом, связанным с принципом действия транзистора, является вопрос о том, каков механизм переноса неосновных носителей от эмиттеца к коллектору. Если область базы имеет однородную структуру ( концентрация примеси во всех ее участках одинаковая), то единственной причиной движения введенных из эмиттера в базу неосновных носителей по направлению к коллектору является их диффузия.  [37]

Принцип действия транзистора л-р-п-типа аналогичен принципу действия транзистора р-л-р-тина.  [38]

Учитывая сказанное в § 3.4 о принципе действия транзистора с ДШ, можно заключить, что для схемы / ( ( КБ 0) время восстановления обратного сопротивления должно быть наименьшим, тем более, что в этой схеме емкость диода определяется только барьерной емкостью эмиттерного р-п перехода. Поэтому такое диодное включение используется в быстродействующих цифровых микросхемах.  [39]

Следует напомнить, что, согласно теории действия транзистора л-р-л-типа, электроны из эмиттерной области с проводимостью л-типа переходят в центральную р-область базы благодаря уменьшению высоты потенциального барьера между ними.  [40]

Явное рассмотрение роли процессов рекомбинации позволяет объяснить основные особенности действия транзисторов. Для нормальной работы транзистора необходимо выполнение двух важных условий. Прежде всего база должна быть достаточно тонкой. Кроме того, концентрация примесей в эмиттере должна намного превосходить их концентрацию в базе.  [41]

Принцип действия транзистора типа п-р - п аналогичен принципу действия транзистора типа р-п - р с тем лишь отличием, что в область базы из эмиттера поступают не дырки, а электроны.  [42]

Принцип работы полевых транзисторов с / - каналом аналогичен принципу действия транзисторов с и-каналом, если поменять местами р - и - области, а также сменить полярность напряжений и направление токов.  [43]

Принцип действия МОП-транзисторов приблизительно тот же, что и принцип действия транзисторов со структурой р-п - р-типа, поэтому мы не будем на этом останавливаться.  [44]

45 Осциллограмма сигнала на входе полевого транзистора ( частотомера [ IMAGE ] Осциллограмма сигнала на выходе операционного усилителя. [45]



Страницы:      1    2    3    4    5