Действие - транзистор
Cтраница 2
Принцип действия транзисторов р-п - р и п-р - п одинаков, но при использовании транзисторов того или другого типа необходимо соответственно изменять полярность применяемых источников напряжения. В транзисторе р-п - р ток проходит от эмиттера в базу, а в транзисторе п-р - п - из базы в эмиттер. [16]
 |
Усиление электрических колебаний с помощью транзистора. [17] |
Принцип действия транзисторов типа п - р - п не отличается от рассмотренного выше, только в область базы вводятся из эмиттера не дырки, а электроны. Для таких триодов полярность напряжений Ег и Е2 должна быть противоположна той, которая показана на рис. 12 - 8; направление токов также изменится на противоположное, так как они обусловлены в данном случае не дырочной, а электронной проводимостью. [18]
Принцип действия транзистора л-р-п-типа аналогичен принципу действия транзистора р-л-р-тина. [19]
 |
Выходные ( а и входные ( б характеристики биполярного транзистора. [20] |
Принцип действия транзистора п-р-п-типа аналогичен, лишь направление токов, знаки носителей заряда и полярность приложенных напряжений противоположны тем, которые имеют место в рассмотренном p - n - р транзисторе. [21]
Принцип действия транзисторов типа п-р - п аналогичен, только в область базы вводятся из эмиттера не дырки, а электроны. Ег должна быть противоположна той, которая показана на рис. 7.6, направление токов также изменится на противоположное, так как они обусловлены в данном случае не дырочной, а электронной проводимостью. [22]
Принцип действия транзистора типа п-р - п аналогичен принципу действия транзистора типа р-п - р с тем лишь отличием, что в область базы из эмиттера поступают не дырки, а электроны. [23]
 |
Схемы включения транзисторов.| Схема включения транзистора с подачей смещения на базу. йсм - сопротивление смещения. Ки - сопротивление нагрузки. [24] |
Принцип действия транзистора типа п-р - п аналогичен. Отличие состоит только в том, что основными носителями зарядов являются не дырки, а электроны. [25]
Рассматривая принцип действия транзистора, мы считали, что существует только один поток носителей заряда. В действительности же число возможных потоков равно восьми, поскольку через каждый лр-переход, как установлено в гл. [26]
По принципу действия транзистора коэффициент а меньше единицы, так как изменение Д / к тока коллектора равно лишь части изменения Д / атока эмиттера. [27]
Рассмотрим принцип действия иижекционно-полевого транзистора на примере включения в схеме с ОБ. Пусть на коллектор подано такое напряжение, что область объемного заряда полностью перекрыла базу и условия в цепи коллектора таковы, что / Kconst. [28]
Чтобы понять принцип действия транзистора, мы должны рассмот-треть физику явления проводимости в полупроводниковом материале. Выберем для этой цели германий как наиболее распространенный. Механизм явления проводимости в кремнии и германии почти аналогичен, однако для селена, оксидов и сульфидов имеются существенные различия. [29]
При рассмотрении принципа действия транзистора отмечалось, что неосновные носители заряда распространяются в направлении от эмиттера к коллектору путем диффузии. Средние скорости теплового движения носителей отличаются друг от друга. Поэтому группа зарядов, одновременно инжектированных в базовую область, будет достигать коллекторного перехода через разике промежутки времени. В результате, если предположить, что эмиттерный ток имеет форму идеального скачка, ток коллектора будет плавно нарастать до установившегося значения. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5