Односторонняя диффузия

Cтраница 2

В-третьих, при односторонней диффузии кислорода, три которой вновь образованная часть пленки оттесняет ранее сформировавшуюся, особенность исходной поверхности металла, должна воспроизводиться на наружном слое окалины. Другими словами, атомы начальной поверхности металла остаются в этом случае на внешней стороне оксидной пленки. Однако специально поставленные опыты не подтверждают этого. Рельеф и особенности исходной поверхности металла достаточно четко воспроизводятся не на внешней стороне окалины, а на границе двух зон ее внутреннего слоя. [16]

Распределение примесей в р-п - р структуре, полученной методом двусторонней диффузии. [17]

Структуры, полученные двойной односторонней диффузией, нашли более широкое распространение, так как в отличие от двусторонней диффузии при создании этих структур для получения очень тонких базовых слоев не требуется особо точной шлифовки исходной пластины, да и относительная точность проведения самих диффузионных процессов в случае односторонней диффузии может быть меньшей. [18]

Встречная, а также односторонняя диффузия элементов через границу покрытие - субстрат - основной процесс, приводящий к разрушению ( рассасыванию) диффузионных покрытий при службе в условиях высоких температур. [19]

Наиболее распространенными являются методы односторонней диффузии по Удэну и двусторонней диффузии по Оухтерлони. Первый из методов выполняется в узких пробирках ( 0 7 - 0 9 см диаметром), в которые послойно помещают сыворотку, чистый гель и антисыворотку; после диффузии антигена и антитела, при их контакте, в агаре образуется комплекс антиген - антитело - нерастворимый преципитат. Использование антисыворотки против определенного вида белка сопровождается образованием только одного преципитационного кольца, а при применении поливалентной антисыворотки - нескольких колец. [20]

Каким законом описывается процесс односторонней диффузии веществ при посоле. [21]

В транзисторах, изготовленных путем двойной односторонней диффузии, проводимость коллектора сгк Для уменьшения сопротивления насыщения необходимо уменьшать, а для повышения пробивного напряжения - увеличивать. [22]

Если образование продукта происходит путем односторонней диффузии аниона и катиона, то эффект нестехиометрии зависит от соотношения DA и DQ. При DADO в нестехиометрической фазе с дефицитом металла реакция идет быстрее, чем в-стехиометрической фазе. При D0DA подобный ускоряющий эффект оказывает переход к нестехиометрической фазе с дефицитом кислорода. [23]

Если образование продукта происходит путем односторонней диффузии катионов одного йида и электронов с одновременным переносом О2 через газовую фазу, то увеличение дефицита металла в продукте реакции должно интенсифицировать процесс. [24]

Развиваемая в настоящее время теория односторонней диффузии [15] ( см. далее), не разрешая вопроса о природе начальных зародышей, позволяет понять механизм перехода от чрезвычайно маленьких воздушных пузырьков, которые, как следует из теории газовой кавитации, не участвуют в кавитации из-за большой величины давления, создаваемого поверхностным натяжением, к большим, которые уже могут рассматриваться как центры кавитации. [25]

В транзисторах, изготовленных методом двойной односторонней диффузии ( см. рис. 2.15), наличие тормозящего поля в начале базы частично или полностью компенсирует положительное влияние ускоряющего поля в остальной части базы. Распределение п ( х) показано на рис. 2.16, в сплошной линией. Поэтому эффективные значения функции т ( т)) не столь высоки и могут быть даже меньше единицы. В таких транзисторах основной вклад в уменьшение постоянной накопления дает не поле в базе, а малая толщина базы, обеспечиваемая диффузионной технологией. [26]

Технология производства использует обычный метод тройной и односторонней диффузии для создания как р-п - р -, так и п-р - n - структур. Основанием служит четырехслойная кремниевая структура, созданная методом тройной диффузии. В качестве исходного материала используется кремний р-типа, в котором формируются коллекторы, базы и эмиттеры п-р-п-транзисторов. Одновременно с образованием коллекторов п-р-п-транзисторов формируются базовые области р-п-р-транзисторов с общими коллекторами, а также сопротивления и емкости, которые выполнены как электрически изолированные элементы. Кроме того, формируются соединительные проводящие каналы, используемые для соединения элементов в различных слоях. [27]

В транзисторах, изготовленных с использованием двойной односторонней диффузии, не удается снизить сопротивление насыщения до таких величин, которые достигаются в сплавных германиевых транзисторах и в кремниевых приборах с диффузионными эмиттером и коллектором. Однако задача снижения сопротивления насыщения этих транзисторов не теряет значения. [28]

Например, на германии с помощью двойной односторонней диффузии технологически легче получать р-п - р транзисторы, а на кремнии п-р - п транзисторы. Это находит свое отражение в количестве типов соответствующих транзисторов. При двойной односторонней диффузии ( базовая область создается путем диффузионного легирования) транзисторы имеют высокую частоту, но повышенное сопротивление насыщения ГКЭ нас и большое значение V э нас. Транзисторы, изготовленные с помощью двусторонней диффузии ( у них диффузионные эмиттер и коллектор) имеют малые кэнас но и малую предельную частоту. [29]

Что касается транзисторов, полученных с помощью односторонней диффузии, то в них основная доля падения напряжения между коллектором и эмиттером открытого транзистора приходится на падение напряжения в теле коллектора. В этих приборах падение напряжения на переходах имеет тот же порядок, что и в сплавных транзисторах. На участке от границы тела эмиттера до границы тела коллектора падение напряжения в транзисторах, полученных с помощью двойной односторонней диффузии, описывается тем же выражением ( 3 - 32), что и в сплавных транзисторах. Падение напряжения в теле эмиттера у этих транзисторов достаточно мало, так как эмиттерная область легирована сильно. Коллекторная область транзисторов, полученных двойной односторонней диффузией ( рис. 2 - 13), легирована относительно слабо. Это необходимо для того, чтобы коллекторный переход в этих структурах мог держать достаточно высокое напряжение. [30]

Страницы: 1 2 3 4 5