Односторонняя диффузия
Cтраница 4
Наличие большого интервала допустимых значений wa и WQ в транзисторах, полученных методом односторонней диффузии, говорит о том, что задача получения достаточно высоких величин сю в этих приборах не очень сложна. В некоторых случаях уменьшение аа при очень больших WK может, по-видимому, вызываться недостаточно высоким значением времени жизни неосновных носителей в базе. Гораздо чаще величина а0 может снижаться при слишком большой концентрации легирующих примесей в базе. [46]
На границе между этими полупроводниками в слое небольшой толщины образуется электрическое поле, препятствующее дальнейшей односторонней диффузии электронов в направлении га-р; слой, в котором образовался этот потенциальный барьер для электронов, называется запирающим. После установления равновесия переход электронов в направлении га - - р компенсируется обратным переходом р - га. [47]
На границе между этими полупроводниками в слое небольшой толщины образуется электрическое поле, препятствующее дальнейшей односторонней диффузии электронов в направлении п - У р; слой, в котором образовался этот потенциальный барьер для электронов, называется запирающим. [48]
На границе между этими полупроводниками, в слое небольшой толщины образуется электрическое поле, препятствующее дальнейшей односторонней диффузии электронов в направлении п - р; слой, в котором образовался этот потенциальный барьер для электронов, называется запирающим. [49]
В результате между полимерами образуется переходный слой с постепенно изменяющейся концентрацией каждого компонента либо в случае односторонней диффузии образуется переходный слой с повышенной плотностью упаковки полимерных цепей [398], Это было показано, в частности методом электронной микроскопии. [50]
На рис. 8 - 3 схематически показано распределение примесей в подобной структуре, полученной с помощью тройной односторонней диффузии в относительно низкоомном исходном полупроводнике. Там же для сравнения приведено распределение примесей в обычной транзисторной структуре, полученной с помощью двойной односторонней диффузии в вьгсо-коомном материале. [52]
Несмотря на это, ряд исследователей [270, 271] полагали, что взаимодействие железа с серой сводится к односторонней диффузии ионов железа через сульфидный покров. [53]
Вышеизложенное, а также существование в окалине градиента химического потенциала железа, заставляют отказаться от предположения об односторонней диффузии кислорода. Приведенный фактический материал показывает, что в оксидной пленке имеет место двусторонняя диффузия железа и кислорода. Последний, пройдя окалину и достигнув металла, окисляет его, а железо, двигаясь через пленку, выходит к наружной поверхности ее и превращается там в окисел. [54]
Все рассмотренные модели и уравнения кинетики твердофазо-вых реакций были получены, исходя из предположения об образовании продукта путем односторонней диффузии покрывающего компонента в глубь зерен, покрытых продуктом реакции. По мере изучения все большего числа реакций в смесях твердых веществ выявилось, однако, что могут иметь место: 1) реакции, которые осуществляются за счет односторонней диффузии частиц реагента А через слой продукта наружу к поверхности раздела фаз, где и происходит рост слоя продукта АВ; 2) реакции, когда продукт реакции образуется путем противодиффузии реагентов через слой продукта реакции. [56]
На рис. 20 показан один из возможных случаев изменения концентрации в различные периоды времени tlt t - z и t3 при односторонней диффузии в одном измерении, из бесконечного источника. [57]
В связи с тем что большинство величин, необходимых для оценки эффекта концентрации тока к краю эмиттера в транзисторах, полученных путем односторонней диффузии, известно с недостаточной точностью, провести эту оценку расчетным путем чрезвычайно затруднительно, а получить вполне достоверные данные о распределении ток. В то же время экспериментальные данные подтверждают предположение о том, что концентрация тока к краю эмиттера в таких транзисторах выражена очень резко. [58]
Поскольку соотношение притекающих к фронту диффузионных потоков компонентов равно стехиометрическому, а концентрация их на фронте равна нулю, факел с односторонней диффузией относится к общему случаю горения неперемешанных газов. [59]
Зависимость времени диффузии от плотности остается одинаковой, все равно, будут ли два газа взаимно диффундировать с обеих сторон пористой перегородки или же будет односторонняя диффузия в вакуум. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5