Односторонняя диффузия

Cтраница 3

Функция распределения сравнительно медленно изменяется также из-за односторонней диффузии газа в колеблющийся пузырек ( см. далее) и из-за коагуляции воздушных пузырьков. Односторонняя диффузия, протекающая особенно быстро для пузырьков малого размера, по-видимому, является одним из основных механизмов, определяющих образование зародышей, способных кавитировать. [31]

III рассмотрена проблема остаточных напряжений, возникающих вследствие односторонней диффузии жидкости в полимерных материалах. [32]

Распределение примесей в структуре диффузионного транзистора с сильнолегированным слоем в активной базовой области. [33]

По сравнению с транзисторами, полученными с помощью двойной односторонней диффузии, приборы с диффузионными эмиттером и коллектором характеризуются прежде всего существенно меньшим сопротивлением насыщения. В случае структуры, подобной изображенной на рис. 6 - 6, эти транзисторы могут иметь очень малое сопротивление активной базы гб1 и в связи с этим в них может почти отсутствовать эффект концентрации тока к краю эмиттера. По этим двум причинам в транзисторах с диффузионными эмиттером и коллектором спад коэффициента усиления с ростом тока может быть выражен менее сильно, чем в транзисторах с диффузионной базой. [34]

Концентрационное распределение Sm и Ti в пограничной области образцов Sm203 - TiO2, прокаленных при 1350 С в течение 45 ч. [35]

Было показано ( рис. 9), что происходит практически односторонняя диффузия ионов титана в окись самария. При этом за 45 ч при 1350 С титан продиффундировал на глубину примерно 140 мкм. Площадка на кривых распределения титана и самария соответствует по составу соединению Sm2Ti207, которое, как показали исследования на ДРОН-0. Величина слоя, отвечающего соединению, составляет около 60 мкм. Перед площадкой находится область твердых растворов на основе окиси самария. [36]

Очевидно, в некоторых случаях роль взаимной или даже односторонней диффузии при образовании адгезионных соединений может оказаться заметной; например, когда в качестве адгезива и субстрата взяты совместимые полимеры. [37]

Возможность создания невыпрямляющего базового контакта для структур, полученных двойной односторонней диффузией, достигается теми же путями, что и для диффузионных структур с двусторонней дифузией: вплавлением электрода, содержащего добавку того же типа, что и базовая примесь, селективным травлением и селективной диффузией. [38]

В связи с этим при растворении ксантогената в щелочи происходит практически односторонняя диффузия щелочи в ксантогенат. [39]

Схема, иллюстрирующая влияние базового сопротивления на падение напряжения между эмиттером и коллектором. [40]

Благодаря этому в германиевых мощных транзисторах, изготовленных с помощью односторонней диффузии, легче удается сочетать высокое пробивное коллекторное напряжение с достаточно малым сопротивлением насыщения. Однако при большом токе коллектора размеры модулируемой области могут сужаться и сопротивление насыщения может начать расти. [41]

Схема изготовления мощного пленарного транзистора. [42]

Поэтому основная масса кремниевых мощных транзисторов, изготовленных с помощью двойной односторонней диффузии, представляет собой меза-планарные, а не планарные приборы ( см. гл. [43]

Модель анти - Яндера предполагает протекание твердофазовой реакции за счет односторонней диффузии частиц покрываемого компонента через слой продукта наружу к поверхности второго компонента, где и происходит рост слоя продукта реакции. И наконец, модель Вагнера предусматривает двустороннюю диффузию частиц исходных компонентов через слой продукта навстречу друг другу. Различные уравнения, выведенные в соответствии с этими моделями, подробно рассмотрены в работах последнего времени. Кинетические параметры, получаемые по таким уравнениям, имеют формальный характер и мало способствуют установлению механизма исследуемых процессов. [44]

Исключение составляют некоторые типы мощных германиевых транзисторов, полученных с помощью двойной односторонней диффузии и имеющие не слишком толстый высокоомный слой в теле коллектора. [45]

Страницы: 1 2 3 4 5