Cтраница 5
Если предположить, что имеются одинаковые конструктивные и технологические возможности осуществления теплового контакта к эмиттеру и к коллектору, то для транзисторов, изготовленных с помощью односторонней диффузии, выгоднее было бы отводить тепло от эмиттера, так как в этих приборах область, где выделяется тепло, расположена гораздо ближе от эмиттера, чем от невыпрямляющего коллекторного контакта. Однако это преимущество практически не удается реализовать, так как металлизация эмиттерного электрода имеет обычно сложную форму и на очень малом расстоянии от нее, как правило, располагается невыпрямляющий базовый контакт. Надо отметить, что с точки зрения использования транзистора в схеме конструкция мощного транзистора с изолированным коллектором и эмиттером, соединенным с корпусом, является предпочтительной, так как в большинстве случаев общим электродом является эмиттер. При соединении коллектора с корпусом приходится на каждый мощный транзистор ставить изолированный от остальной схемы радиатор или крепить транзистор к общему радиатору через изолирующую прокладку. И то и другое связано со значительным ростом перепада температуры между транзистором и окружающей средой. В этом транзисторе тепло отводится и через коллектор и через эмиттер, причем доля, отводимая через эмиттер, довольно значительна. [61]
Вант-Гофф ( 1886) сделал заключение, что между состоянием вещества в растворе и газовым состоянием того же вещества существует аналогия, причем она носит не только качественный ( односторонняя диффузия через полупроницаемую перегородку), но и количественный характер. [62]