Cтраница 1
Электронные дефекты и дефекты Li очень подвижны, причем D. Dh DO - Два других центра, содержащих А, являются значительно менее подвижными. [1]
Электронный дефект представляет собой вакансию, образовавшуюся в исходной молекулярной орбите при возбуждении триплетного уровня молекулы как единой системы электронов. Миграция такого электронного дефекта в кристалле совершается, по-видимому, путем межмолекулярного переноса электрона от заполненной к вакантной орбите, хорошо известного из окислительно-восстановительных реакций переноса электрона в растворах и не требующего преодоления энергетических барьеров. Акцепторный уровень на схеме обозначен как триплетный уровень 3Г молекулярного центра. [2]
Рассмотрим теперь электронные дефекты в неметаллических кристаллах - электроны проводимости и дырки. Как уже отмечалось, механизм их движения по кристаллу в разных случаях может описываться двумя приближениями. [3]
Концентрация электронных дефектов эквивалентна конщен трации междоузельных электронов. Величина чисел переноса ионов очень мала. [4]
К электронным дефектам относятся избыточные электроны, недостаток электронов ( дырки) и экситоны. Последние представляют собой парные дефекты, состоящие из электрона и дырки, которые связаны кулоновскими силами. [5]
К электронным дефектам относятся избыточные электроны, недостаток электронов ( незаполненные валентные связи в кристалле - дырки) и экситоны. Последние представляют собой парные дефекты, состоящие из электрона и дырки, которые связаны кулоновскими силами. Более подробно этот вопрос изложен в гл. [6]
К электронным дефектам относятся избыточные электроны, недостаток электронов ( дырки) и экситоны. Последние представляют собой парные дефекты, состоящие из электрона и дырки, которые связаны кулоновскими силами. [7]
Второй тип электронных дефектов возникает, когда в валентной зоне некоторая часть разрешенных уровней не занята электронами. [8]
Взаимодействие между ионными и электронными дефектами кратко описано ниже ( Отклонения от стехиометрии); подробные сведения о погло-лцении света в ионных кристаллах даны в гл. [9]
Простейшим механизмом образования электронных дефектов в неметаллических твердых телах является непосредственное возбуждение электрона из состояния с энергией, соответствующей валентной зоне, в состояние с энергией, соответствующей зоне проводимости; при этом возникает пара дефектов: электрон проводимости и электронная дырка. [10]
Более того, и сами электронные дефекты в нестехиометрических ионных кристаллах и в примесных полупроводниках имеют в значительной степени общую природу: в тех и других электронные дефекты возникают из-за несоответствия числа электронов числу разрешенных уровней в валентной зоне. Поэтому, несмотря на большую ширину запрещенной зоны, нестехиометрические ионные кристаллы обнаруживают ряд свойств, типичных для примесных полупроводников; в частности, они обладают значительной электронной проводимостью л-типа при избытке металлического компонента и р-типа при избытке неметаллического компонента. [11]
Прежде чем рассматривать свойства электронных дефектов, необходимо вкратце изложить вопрос о природе основных электронных состояний в идеальном кристалле. [12]
Хг) способствует образованию электронных дефектов, а малое рм ( большое рх) - образованию атомных дефектов. [13]
Соответствующие формулы для концентраций электронных дефектов получаются непосредственно из уравнений (5.51) путем замены в них концентраций доминирующих вакансий или междуузельных ионов на равные им концентрации примесей. Легко видеть, что в общем случае для концентраций электронов проводимости и дырок для решений рассматриваемой группы остается справедливой формула (5.91), причем знаки показателей степеней s и m определяются теми же правилами, что и в решениях предыдущей группы. Поскольку концентрации электронных дефектов в решениях данной группы малы по сравнению с концентрациями ионных дефектов, а подвижность их значительно выше, доля электронной проводимости здесь может быть любой и, вообще говоря, сравнима с ионной. [14]
Значение природы и концентрации электронных дефектов в окисных катализаторах подчеркивалось также Краусом [11], которому удалось показать, что выход N2O, образованной при реакции аммиака с кислородом, зависит от избытка кислорода ( или, что то же самое, от концентрации дырок) в окисных катализаторах. [15]