Электронный дефект

Cтраница 3

Области давления неметалла, в которых реализуются решения (5.85), называют областями контролируемых электронных дефектов. Такой термин оправдан тем, что концентрации электронов проводимости и дырок в этих областях не зависят от pxz и целиком контролируются содержанием ге-теровалентной примеси в кристалле. [31]

Квант излучения поглощается полупроводником - окисью металла, возбуждая в нем фотоэлектрон ( электронный дефект); фотоэлектроны ( электронные дефекты), попадая под влиянием поля в зону реакции, приводят к наблюдаемым изменениям электрохимического процесса - фотоэлектрохимическому эффекту. [32]

Из общестатистических соображений ясно, что даже при строго стехиометрическом составе кристалла концентрации электронных дефектов отличны от нуля. Концентрации обоих типов электронных дефектов равны друг другу при некотором определенном составе, близком к стехиометричеокому, и сильно изменяются при смещении в обе стороны от стехиометрического состава. Если парциальное давление неметалла в газовой фазе Рх2 значительно превышает величину Рстех, отвечающую стехио-метрическому составу, доминирующими реакциями, определяющими характер электронной разупорядоченности, являются реакции поглощения сверхстехиометрического неметалла ( 5.50 а) или ( 5.50 г), приводящие к появлению дырок в валентной зоне кристалла. Напротив, при давлениях, значительно меньше Рстех, доминирующими являются реакции (5.506) и ( 5.50 в), приводящие к потере неметалла и появлению электронов в зоне проводимости. [33]

Если микродобавка полностью растворима в матричном кристалле, то ее влияние обусловлено образованием атомных и электронных дефектов. Особенно эффективны гетеровалентные добавки. [34]

Если микродобавка полностью растворима в матричном кристалле, то ее влияние обусловлено образованием атомных и электронных дефектов, сопровождающих всегда процесс формирования твердых растворов, независимо от того, какой вид твердых растворов формируется. [35]

В других случаях насыщение кислородом происходит в области гомогенности данного оксида и природа атомных и электронных дефектов не меняется. В оксидах n - типа увеличение содержания кислорода приближает состав оксида к стехиометрическому, снижая дефектность его структуры и число основных носителей тока. При этом обеднение поверхности оксида носителями заряда приводит к росту потенциала. [36]

Кроме ионной, в кристаллах может существовать и электронная разупорядоченность, приводящая к электронным дефектам. Последняя возникает при термическом расщеплении валентных свя-зяй, в результате которого образуются одинаковые количества свободных электронов и дырок. [37]

Сравнение выражений (2.18) и (2.21) показывает, что оба приближения дают для химических потенциалов электронных дефектов качественно одинаковый результат - логарифмическую зависимость от концентраций. Отличие состоит в том, что в приближении широких зон (2.21) отсутствует вибрационный член, обусловленный изменением частот колебаний соседних атомов, что вполне естественно при нелокализованном характере распределения зарядов электронных дефектов. Вместо него в формулах (2.21) содержится член, определяемый эффективной плотностью состояний N и отражающий волновые свойства электронов. [38]

Это возможно в тех случаях, когда энергия образования ионных дефектов превышает энергию образования электронных дефектов. Однако такие решения больше характерны для твердых тел с ковалентными связями и не типичны для ионных кристаллов. [39]

Структура дефектов в окисле NiO - Li2O.| Уменьшение скорости окисления никеля в атмосфере воздуха при 1100 С в присутствии паров окиси лития ( по Пфейфферу и Хауффе. [40]

В противоположность рис. 40 здесь число вакансий двухвалентных ионов никеля больше, чем число электронных дефектов, характеризуемое наличием трехвалентных ионов никеля. [41]

Места катионов с более высоким зарядом, которые отдали по одному электрону, называют электронными дефектами или дырками. Причиной образования электронных дефектов может быть также перемещение электронов при наложении внешнего поля. [42]

Приведенные решения первой группы справедливы в ограниченной области парциальных давлений неметалла, в которой концентрации электронных дефектов остаются малыми по сравнению с постоянной концентрацией доминирующих ионных дефектов. При некотором значении давления р р ех концентрация дырок сравнивается с концентрацией ионных дефектов и приведенные решения утрачивают силу. То же происходит при некотором значении давления р - р ех при котором концентрация электронов проводимости достигает значения, равного концентрации ионных дефектов. Таким образом, при давлениях, более высоких, чем Р, и более низких, чем Р -, реализуются решения, относящиеся к другим группам. [43]

Из соотношения (4.6) вытекает физический смысл константы собственной ионизации / G: это есть равновесная концентрация электронных дефектов в собственном полупроводнике, аналогично тому как константа Шоттки есть равновесная концентрация дефектов Шоттки в кристалле с атомной разупорядочен-ностью. Формула (4.7) показывает, что концентрация электронных дефектов экспоненциально растет с температурой аналогично концентрациям собственных атомных дефектов, рассмотренных в предыдущей главе. [44]

В результате анодной реакции ( 1) в поверхностном слое окисла, соприкасающемся с электролитом, возникают новые протонные и электронные дефекты, что, в конечном счете, приводит к состоянию, показанному на рис. 3 а, которое характеризуется пониженной концентрацией протонов в поверхностном слое. [45]

Страницы: 1 2 3 4