Электронный дефект

Cтраница 4

Вюстит является р-проводником с большим количеством дефектов решетки, состоящих преимущественно из вакантных кати-онных мест и эквивалентного количества электронных дефектов, представляемых химически трехвалентными ионами железа. Поэтому в вюстите диффундируют главным образом катионы, перемещаясь через вакантные места. [46]

Квант излучения поглощается полупроводником - окисью металла, возбуждая в нем фотоэлектрон ( электронный дефект); фотоэлектроны ( электронные дефекты), попадая под влиянием поля в зону реакции, приводят к наблюдаемым изменениям электрохимического процесса - фотоэлектрохимическому эффекту. [47]

Из двух основных характеристик СВЧ-ферри-тов - ширины линий ферромагнитного резонанса и диэлектрических свойств - последние тесно связаны с концентрацией электронных дефектов, которую можно регулировать в широких пределах в процессе термической обработки. В работе [195] показано, что потери в ферритах в широком диапазоне частот обусловлены свободными электронами, концентрация которых может быть существенно снижена дополнительным отжигом при температуре, выбранной на основе универсальной диаграммы. В ОВЧ-ферритах, содержащих никель в качестве активного компонента, изменение температуры обработки при фиксированном давлении кислорода, равно как и изменение давления кислорода при фиксированной температуре, может привести к замене электронной проводимости дырочной. Минимуму потерь будут соответствовать состояния с собственной проводимостью (), достигаемые при строго определенных для каждого состава температуре и давления кислорода. Современная технология изготовления высокопроницаемых ферритов неразрывно связана с необходимостью контролируемого изменения давления кислорода при охлаждении от максимальной температуры спекания. Как правило, режимы изменения состава газовой фазы при охлаждении ферри-товых изделий выбираются эмпирически и существенно зависят от керамической структуры, обусловленной технологией получения ферритовых порошков и р ежимами их спекания. Анализ патентной литературы показывает, что в зависимости от катионного состава феррита и способа его получения максимальная магнитная проницаемость достигается при различных условиях термической обработки. [48]

Значения параметров s и т в формулах - для концентраций дефектов в примесном нестехиометрическом соединении МХГ б. [49]

Из-за малости концентраций собственных ионных дефектов, а также их низкой подвижности по сравнению с подвижностью электронов в области контролируемых электронных дефектов кристалл является практически чисто электронным проводником п - или р-типа в зависимости от сорта примеси. [50]

Поэтому Ki Ks - Такой вывод согласуется с тем, что атомы иной валентности при нормальных условиях внедряются по механизму контролируемых электронных дефектов ( см. разд. [51]

Страницы: 1 2 3 4