Электронный дефект

Cтраница 2

Аналогичным образом получаем решения для концентраций электронных дефектов и в случае кристаллов с другими типами ионной разупорядоченности при произвольных степенях ионизации ионных дефектов. [16]

В гетерогенном катализе и явлениях люминесценции наличие электронных дефектов и посторонних атомов также играет очень большую роль. В случае катализа отклонения от стехиометрии приводят к появлению акцепторных или донорных уровней, в результате чего электрон легко передвигается к адсорбированным веществам или от них. [17]

При наложении электрического поля условие эквивалентности потоков электронных дефектов и вакансий нарушается, поскольку электроны и дырки могут принимать участие в электродных реакциях. При этом меняются условия и скорость окисления металла. Внешнее поле увеличивает скорость окисления, если его направление совпадает с направлением диффузионного потенциала в оксидной пленке. Внешнее поле с полярностью, противоположной диффузионному потенциалу, снижает скорость окисления вплоть до нуля, когда образование оксида прекращается совсем. [18]

В результате электрического или теплового воздействия появляются также электронные дефекты, когда некоторые электроны не находятся в основном состоянии, характерном для невозбуж-ценных атомов. [19]

Во всех случаях, прежде чем говорить об электронных дефектах, следует определить основное состояние катионов, достигаемое при низких температурах. Например, при сопоставлении электросопротивле - ния образцов Mni 2Feii8O4 и Mni 4Feij6O4 с сопротивлением образцов Mni 2Fei / rio iO4 и Mnij4Fei 5Tio iO4 было обнаружено [144], что замещение части ионов железа ионами титана практически не оказывает никакого влияния. [20]

Во всех случаях, прежде чем говорить об электронных дефектах, следует определить основное состояние катионов, достигаемое при низких температурах. [21]

Поляризационные кривые анодного выделении кислорода на меди при 80 С в растворах NaOH. 2 5 н. ( /, 6 25 н. ( 2 и 8 75 н. ( 3 [ 9, с. 632 ]. [22]

При этом электрон переходит в зону проводимости, а электронный дефект в виде комплекса ZnO е может принимать участие в анодных реакциях. Наблюдающийся на i - ф-кривой предельный ток при потенциале 1 В определяется диффузией неосновных носителей тока - дырок. Значение предельного тока зависит как от концентрации дырок, так и от интенсивности освещения. [23]

Рассмотрим теперь основные механизмы явлений, приводящих к возникновению электронных дефектов в различных типах неметаллических твердых тел. [24]

В настоящей главе основное внимание уделяется вычислению равновесных концентраций электронных дефектов - электронов проводимости и дырок. [25]

Парравано [299 ] указывает, что если адсорбционными центрами поверхности полупроводников являются электронные дефекты, то число их может изменяться в зависимости от парциального давления адсорбирующегося кислорода. Если процесс сопровождается, например, установлением адсорбционно-химиче-ского равновесия поверхностного кислорода окислов с водородом и водяным паром в газовой фазе [ равновесие (V.87) ], то количество поверхностных центров ( O) Z будет зависеть от состава газовой фазы. [26]

Схема расположения ионов в решетке при этом градиент концент - Ni ( OH2. рации вызывает диффузию. [27]

Электропроводность такого кристалла определяется, в основном, концентрацией и подвижностью электронных дефектов. [28]

Формулы ( 2.25, а, б) соответствуют двум различным моделям электронных дефектов и являются предельными; в реальных кристаллах у е имеет некоторые промежуточные значения. [29]

Установленное правило знаков поддается достаточно простой интерпретации в случаях, когда концентрация электронных дефектов растет с повышением температуры. В проводниках п-ти-па электроны проводимости диффундируют от более горячего конца образца, где их концентрации выше, к более холодному. В результате они переносят отрицательный заряд на более холодный конец, а горячий конец теряет часть электронов и заряжается положительно. [30]

Страницы: 1 2 3 4